欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

RF2175PCBA 参数 Datasheet PDF下载

RF2175PCBA图片预览
型号: RF2175PCBA
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 3V 400MHZ线性放大器 [3V 400MHz LINEAR AMPLIFIER]
分类和应用: 放大器
文件页数/大小: 6 页 / 129 K
品牌: RFMD [ RF MICRO DEVICES ]
 浏览型号RF2175PCBA的Datasheet PDF文件第2页浏览型号RF2175PCBA的Datasheet PDF文件第3页浏览型号RF2175PCBA的Datasheet PDF文件第4页浏览型号RF2175PCBA的Datasheet PDF文件第5页浏览型号RF2175PCBA的Datasheet PDF文件第6页  
RF2175
0
典型应用
• 3V TETRA蜂窝手机
• 3V CDMA蜂窝手机
- 便携式电池供电设备
3V 400MHZ线性放大器
产品说明
该RF2175是一种高功率,高效率线性扩增
费里IC针对3V手持系统。该装置是
采用先进的砷化镓异质制造
结双极晶体管( HBT)的过程中,并一直
设计用作在TETRA中的最终RF放大器手工
手持式数字蜂窝设备,扩频系统,
和其他应用中的380MHz到512MHz频带。
该RF2175具有模拟偏置控制电压为最大,
迈兹效率。该设备是自包含50Ω
输入和输出可以容易地匹配,以获得
最佳功率,效率和线性特性。
该软件包是一个小型SSOP- 16塑料与背面
地面上。
-A-
0.154
0.012
0.008
0.004
0.002注3
散热器曝光
外露的散热
SINK
0.196
0.189
0.025
0.123
0.107
0.237
0.063
0.057
0.087
0.071
8˚ MAX
0 ° MIN
注意事项:
1.引脚1阴影领先。
2.引脚共面性 - 0.003相对于基准"A" 。
3.铅对峙从上最低点指定
包下面。
0.035
0.016
0.010
0.007
最佳技术Matching®应用
硅BJT
姒必-CMOS
的InGaP / HBT
砷化镓HBT
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
砷化镓MESFET
硅CMOS
硅锗双CMOS
封装形式: SSOP- 16弹头
特点
•单3V电源
• 31.8dBm线性输出功率
• 37.5分贝线性增益
• 30 %的线性效率
•板载Power Down模式
• 380MHz到512MHz运行
VCC
LTUNE
NC
Q1C
GND1
在RF
1
2
3
4
5
6
7
BIAS
16
15
14
13
12
11
10
9
VBIAS
RF OUT
RF OUT
RF OUT
订购信息
RF2175
RF2175 PCBA
3V 400MHZ线性放大器
完全组装的评估板
VREG
8
功能框图
RF Micro Devices公司
桑代克路7628
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 , USA
电话:( 336 ) 664 1233
传真:( 336 ) 664 0454
http://www.rfmd.com
转A8 030313
2-287