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RF2192PCBA 参数 Datasheet PDF下载

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型号: RF2192PCBA
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内容描述: 3V 900MHZ线性功率放大器 [3V 900MHZ LINEAR POWER AMPLIFIER]
分类和应用: 放大器功率放大器
文件页数/大小: 8 页 / 134 K
品牌: RFMD [ RF MICRO DEVICES ]
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初步
2
典型应用
• 3V CDMA / AMPS蜂窝手机
• 3V JCDMA蜂窝手机
• 3V CDMA2000蜂窝手机
RF2192
3V 900MHZ线性功率放大器
• 3V TDMA /步态蜂窝手机
•扩频系统
- 便携式电池供电设备
2
功率放大器
产品说明
3.75
2
0.45
0.28
0.75
0.50
0.80
典型值
1
1
该RF2192是一种高功率,高效率线性扩增
费里IC针对3V手持系统。该装置是
采用先进的砷化镓异质制造
结双极晶体管( HBT)的过程中,并一直
设计用作在双模式的最终RF放大器
3V CDMA / AMPS和CDMA 2000的手持式数字cellu-
拉尔设备,扩频系统和其它
应用程序在800MHz至960MHz的频段。该
RF2192具有低功耗模式,以延长电池寿命
在低输出功率的条件。该装置是封装
年龄在16引脚, 4mmx4mm无引线芯片载体。
3.75
+
1.60 4.00
12°
1.50 SQ
3
索引区
3.20
4.00
1.00
0.90
0.75
0.65
注意事项:
1罩针脚是铅1 。
2
尺寸适用于镀终端和被测量
0.10毫米和0.25毫米的终端小费。
0.05
0.00
尺寸(mm) 。
终端# 1标识符和终端编号CONV
3 ,应符合JESD 95-1 SPP- 012 。 TERMIN详情
标识符是可选的,但必须位于的Z内
表示。该标识符可以是霉菌或坊间
功能。
4
5
引脚1和9的融合。
封装翘曲: 0.05最高。
最佳技术Matching®应用
硅BJT
姒必-CMOS
ü
砷化镓HBT
的SiGe HBT
VCC1
VCC1
封装形式: LCC , 16引脚, 4x4的
砷化镓MESFET
硅CMOS
VCC BIAS
特点
•单3V电源
•为29dBm的线性输出功率
• 37 %的线性效率
- 低功耗模式
• 45毫安空闲电流
• 47 %的峰值效率31dBm的输出
GND
1
GND 2
GND 3
RF IN 4
5
VREG1
16
15
14
13
12 RF OUT
11 RF OUT
10 RF OUT
6
VMODE
7
VREG2
8
BIAS GND
9
GND
2F0
订购信息
RF2192
RF2192 PCBA
3V 900MHZ线性功率放大器
完全组装的评估板
功能框图
RF Micro Devices公司
桑代克路7628
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 , USA
电话:( 336 ) 664 1233
传真:( 336 ) 664 0454
http://www.rfmd.com
冯A1 010830
2-203