RF2469 参数 Datasheet PDF下载

型号：	RF2469
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内容描述：	W- CDMA和PCS低噪声放大器/混频器下变频器 [W-CDMA AND PCS LOW NOISE AMPLIFIER/MIXER DOWNCONVERTER]
分类和应用：	放大器过程控制系统PCS
文件页数/大小：	18 页 / 257 K
品牌：	RFMD [ RF MICRO DEVICES ]

初步

RF2469

W- CDMA和PCS LOW NOISE

放大器/混频器下变频器

典型应用

• W- CDMA手机

• PCS手机

•通用下变频器

•商业和消费系统

- 便携式电池供电设备

产品说明

的RF2469是一个接收机前端设计的

收到的W-CDMA和PCS应用部分。这是

设计用于扩增和下变频RF信号的同时

阶梯增益控制范围为特色的提供23分贝

Tures的LNA增益和混频器增益的数字控制。一进一

芯片的疗法的特点是低噪声放大器的可调IIP3和

混频器采用片外电流设置电阻。噪声图 -

茜， IP3和其他规格被设计为兼容

与W-CDMA和PCS通信。该IC是MAN-

制造出来的一种先进的砷化镓Heterojunc-

化双极晶体管（ HBT砷化镓）工艺和

包装在20针，无引线芯片载体与

裸露的芯片标志。

1.00

0.90

0.60

0.24 （典型值）

4.00

平方米。

4 PLC的

0.65

0.30

0.20

2.10

平方米。

12°

最大

0.05

尺寸（mm）。

0.75

0.50

注意包的取向。

0.23

0.13

4 PLC的

注意事项：

1阴影铅引脚1 。

2引脚1标识符必须存在于包被鉴定顶面

标志或在封装体的特征。精确的形状和尺寸是可选的。

前端

尺寸适用于镀金端子：为0.02毫米测量

和0.25毫米的末端。

4封装翘曲0.05 mm最大。

5芯厚度允许： 0.305毫米最大。

最佳技术Matching®应用

硅BJT

姒必-CMOS

砷化镓HBT

的SiGe HBT

LNA1 IN

VCC1

GND

封装形式： LCC ， 20引脚， 4x4的

砷化镓MESFET

硅CMOS

启用

特点

•完整的接收前端

•阶梯式LNA /混频器增益控制

•可调节LNA /混频器偏置电流

• 23分贝最大级联增益

• 2.5分贝噪声系数最大

级联增益

LNA1 OUT

GND

VCC1

在LNA2

LNA2 OUT

VCC1

LNA1 BYP

LNA2

BYP

GND

VCC1

罗在

逻辑

控制

GND

拌

IF +

IF-

订购信息

RF2469

RF2469 PCBA

W- CDMA和PCS低噪声放大器/混频器降频

变流器

完全组装的评估板

电话：（ 336 ） 664 1233

传真：（ 336 ） 664 0454

http://www.rfmd.com

功能框图

RF Micro Devices公司

桑代克路7628

北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA

转A5 010717

8-33

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