RF3145Quad-
BAND
GSM / EDGE / G
SM850/DCS/
PCS电源
放大器MOD-
ULE
RF3145
四频GSM / EDGE / GSM850 / DCS / PCS
功率放大器模块
符合RoHS &无铅产品
封装形式：模块（10毫米×10毫米）
特点
集成的功率控制&乐队
SELECT
单一3.0V至4.8V电源电压
AGE
+ 35.0dBm的输出GSM在压水堆
3.5V
+ 33dBm的DCS / PCS输出在压水堆
3.5V
+为29dBm输出8PSK压水堆
53％的GSM和50％的DCS / PCS
PAE
NC
12
DCS在1
频段选择2
TX ENABLE 3
VBATT 4
VMODE 5
VRAMP 6
GSM在
7
8
NC
9 GSM OUT
10 NC
11
DCS
OUT
应用
3V双/三/四频模式
手机
便携式电池供电分析装备
换货
GSM850和GSM900产品
商业和消费系
TEMS
EDGE和GPRS 12级的COM
兼容
DCS / PCS产品
功能框图
产品说明
该RF3145是一种高功率，集成了高效率的功率放大器模块
功率控制。这个模块是自包含与50Ω的输入和输出端子。
该设备是在一个事先砷化镓异质结连接双极制造
拉尔晶体管（ HBT）的过程，并且已被设计为用作为最终的双模式
GMSK / 8PSK RF放大器在GSM，DCS和PCS手持式蜂窝设备和
其他应用在824MHz至849MHz ， 880MHz至915MHz ，而在
1710MHz至1910MHz频段。内部带选择提供控制选择
GSM850 / GSM900和DCS / PCS频段。该器件采用超小型LCC ，
最大限度地减少所需的电路板空间。
订购信息
RF3145
四频GSM / EDGE / GSM850 / DCS / PCS功率放大器
模块
功放模块， 5件样品包
完全组装的评估板
RF3145PCBA-41X
最佳技术Matching®应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
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