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RF3160 参数 Datasheet PDF下载

RF3160图片预览
型号: RF3160
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内容描述: 双频GSM / DCS功率放大器模块 [DUAL-BAND GSM/DCS POWER AMP MODULE]
分类和应用: 放大器功率放大器分布式控制系统GSMDCS
文件页数/大小: 8 页 / 104 K
品牌: RFMD [ RF MICRO DEVICES ]
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初步
RF3160
双频GSM / DCS
功率放大器模块
2
典型应用
• 3V双频GSM / DCS手机
•商业和消费系统
- 便携式电池供电设备
• GPRS兼容
• GSM , E- GSM和DCS产品
2
功率放大器
产品说明
该RF3160是一种高功率,高效率电源扩增
费里的模块。该设备是自包含50Ω输入
和输出端。该器件在一个制造
先进的砷化镓异质结双极转录
体管(HBT)的过程,并且已被设计为用作
在GSM / DCS系统的手持式数字cellu-最终RF放大器
拉尔设备和其他应用中的880MHz到
的915MHz和1710MHz至1785MHz频段。板载
功率控制提供了控制范围70分贝用
模拟电压输入,并提供功率下降了
逻辑"low"待机操作。该器件封装
在一个超小型( 9mmx11mm ) LCC ,最小化
所需的电路板空间。
1.910
典型值
7.040
1
1.40
1.25
0.450
±0.075
0.760
典型值
4.520
9.09
±0.10
半径
典型值
R0.860
典型值
SIDE VIEW
尺寸(mm) 。
所有接触点都是镀金的,
无铅表面。
11.61
± 0.10
0.920
典型值
注意事项:
底部视图
1,阴影区域为引脚1 。
2.无特殊公差的所有尺寸仅供参考。
最佳技术Matching®应用
硅BJT
姒必-CMOS
ü
砷化镓HBT
的SiGe HBT
频段选择
封装形式:模块(9毫米x11mm )
ü
硅CMOS
V
APC
砷化镓MESFET
特点
•单2.8V至5.0V电源电压
在3.2V • + 35.0dBm GSM输出功率
在3.2V • + 32.5dBm DCS输出功率
13 GND
12 DCS OUT
11 GND
10 GSM OUT
9 GND
16
GND 1
DCS在2
GND 3
GSM在4
GND 5
6
VCC
15
GND
14
• 55%的GSM和50%的DCS效率
•内部带选择
订购信息
RF3160
RF3160 PCBA
双频GSM / DCS功率放大器模块
完全组装的评估板
7
GND
8
VCC
功能框图
RF Micro Devices公司
桑代克路7625
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 , USA
电话:( 336 ) 664 1233
传真:( 336 ) 664 0454
http://www.rfmd.com
转A4 010420
2-261