建议
0
典型应用
•蜂窝基站放大器和
收发器
•增益级或驱动放大器和线性
饱和放大器
RF3816
级联宽带
砷化镓MMIC放大器的直流到6GHz
•窄和宽带商业和
军用无线电设计
E
S
特点
RF3816
的RF3816是一个高性能的InGaP /砷化镓一般
目的射频和微波增益模块放大器。这
50Ω放大器是基于一个可靠的HBT的MMIC的设计，
提供无与伦比的性能对于许多小显
最终的应用程序。用外部偏置电阻设计，
的RF3816提供高输出功率和高增益
在宽的频率范围。这种低成本放大器
封装在一个热效率高，行业标准，
陶瓷微-X封装提供卓越的Theta
JC
性能。
D
W
最佳技术Matching®应用
硅BJT
姒必-CMOS
的InGaP / HBT
砷化镓HBT
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
硅CMOS
N
E
封装形式：微-X ， 4针，陶瓷
砷化镓MESFET
硅锗双CMOS
R
•可靠，低成本的HBT设计
• 12.1分贝增益， + 17.3dBm P1dB@1.0GHz
•高P1dB为+14.7dBm@6.0GHz的
•单6V电源工作
•50Ω I / O匹配
•热效封装
3 RF OUT
N
O
T
RF IN 1
FO
GND
4
标记 - R1
订购信息
2
GND
级联宽带的GaAs MMIC放大器直流
6GHz的（体积： 25件递增）
RF3816SB
5件样品袋
RF3816SR
100件卷轴
RF3816TR7
7 “卷（ 1000个）
RF3816PCBA -410评估板
RF Micro Devices公司
电话：（ 336 ） 664 1233
桑代克路7628
传真：（ 336 ） 664 0454
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA
http://www.rfmd.com
不用于新设计
功能框图
转A2 041013
IG
N
S
0.200 SQ 。
典型值
R1
产品说明
45°
+ 1°
0.055
+ 0.005
0.070
平方米。
0.020
+ 0.002
0.040
+ 0.002
注意事项：
1.阴影铅引脚1 。
2.变暗的区域是金属。
4-1
RFMD [ RF MICRO DEVICES ]
