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RF3867PCK-411 参数 Datasheet PDF下载

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型号: RF3867PCK-411
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内容描述: 双通道,高带宽,高线性度低噪声放大器 [DUAL-CHANNEL, WIDE BANDWIDTH, HIGH LINEARITY LOW NOISE AMPLIFIER]
分类和应用: 放大器
文件页数/大小: 8 页 / 165 K
品牌: RFMD [ RF MICRO DEVICES ]
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RF3867
双通道,高带宽,
高线性的低噪声放大器
封装形式: QFN , 20引脚, 5mmx5mm
ACG1
VDD1
17
NC
20
NC
19
18
16
15 NC
14 RF OUT1
13 NC
12 RF OUT2
11 NC
特点
双通道
低噪声,高拦截
可调偏置电流
单一2.5V至6.0V电源
供应
700MHz至3800MHz的操作
小型QFN20 5mmx5mm
NC 1
RF IN1 2
NC 3
RF 4 IN2
NC 5
6
NC
7
ACG2
8
NC
9
VDD2
10
NC
应用
CDMA , PCS , DCS , UMTS LNA
WLAN LNA
通用扩增
功能框图
产品说明
该RF3867是RF3863的双通道版本,具有低噪音
放大器和一个高的输出IP3 。该放大器是自偏置从一个单一的
电压源与50Ω的输入和输出端口。有用的频率
范围从700MHz至3800MHz的。一个0.8分贝的噪声系数和36dBm的
OIP3性能达到了5V V
DD
, 180毫安。电流可以
增加,同时对噪声系数的影响最小,以提高OIP3 。该IC
的特点是在一个标准的QFN封装, 20引脚, 5mmx5mm封装。
订购信息
RF3867
RF3867PCK-410
RF3867PCK-411
RF3867PCK-412
双通道,高带宽,高线性度低噪声
扩音器
完全组装的评估板与5样件
1.5GHz至2.7GHz的
3.3GHz至3.8GHz的
为700MHz至1100MHz
最佳技术Matching®应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
RF MICRO DEVICES® , RFMD® ,优化科技Matching® ,启用无线连接™ ,的PowerStar® , POLARIS ™ TOTAL RADIO ™和UltimateBlue ™是RFMD ,LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司,美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称,商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 © 2006年, RF Micro Devices公司
冯A0 DS070808
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
NC
1第8