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RF5110GTR7 参数 Datasheet PDF下载

RF5110GTR7图片预览
型号: RF5110GTR7
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内容描述: 3V GSM功率放大器 [3V GSM POWER AMPLIFIER]
分类和应用: 放大器功率放大器GSM
文件页数/大小: 22 页 / 832 K
品牌: RFMD [ RF MICRO DEVICES ]
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RF5110G
3V GSM功率放大器
符合RoHS &无铅产品
封装形式: QFN , 16引脚, 3× 3
APC1
APC2
VCC
14
特点
单一2.7V至4.8V电源电压
AGE
+ 36dBm的输出功率为3.5V
32分贝增益与模拟GAIN(增益)
TROL
57 %的效率
800MHz至950MHz的运行
支持GSM和E -GSM
VCC1
GND1
在RF
GND2
1
2
3
4
16
15
13
12
11
10
9
RF OUT
RF OUT
RF OUT
RF OUT
5
VCC2
6
VCC2
7
NC
应用
3V GSM蜂窝手机
3V双频/三频手 -
GPRS兼容
商业和消费系
TEMS
便携式电池供电分析装备
换货
FM收音机应用:
150MHz/220MHz/
450MHz/865MHz/915MHz
功能框图
产品说明
该RF5110G是一种高功率,高效率的功率放大器模块提供高
性能中的GSM或GPRS的应用程序。该器件在一个制造
先进的GaAs HBT工艺制造,并已被设计用作最后的射频扩增
费里GSM中的手持式数字蜂窝设备和在其它应用中
800MHz至950MHz的频段。板载电源控制提供了控制70分贝
范围与模拟电压输入,并提供功率下降为逻辑“低”为
待机操作。该设备是自包含50Ω输入和输出可
可以很容易地匹配,以获得最佳的功率和效率的特点。该
RF5110G可以连同RF5111用于双波段操作中使用。该
器件采用超小型3mmx3mmx1mm塑料封装, minimiz-
荷兰国际集团所需的电路板空间。
订购信息
RF5110G
3V GSM功率放大器
RF5110GPCBA -410完全组装的评估板
最佳技术Matching®应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
RF MICRO DEVICES® , RFMD® ,优化科技Matching® ,启用无线连接™ ,的PowerStar® , POLARIS ™ TOTAL RADIO ™和UltimateBlue ™是RFMD ,LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司,美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称,商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 © 2006年, RF Micro Devices公司
转A4 DS071026
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
2f0
NC
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