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RF5111图片预览
型号: RF5111
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内容描述: 3V DCS功率放大器 [3V DCS POWER AMPLIFIER]
分类和应用: 放大器射频微波功率放大器分布式控制系统DCS
文件页数/大小: 14 页 / 312 K
品牌: RFMD [ RF MICRO DEVICES ]
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RF5111
3V DCS功率放大器
符合RoHS &无铅产品
封装形式: QFN , 16引脚, 3× 3
VCC2
VCC2
单一2.7V至4.8V电源电压
AGE
+ 33dBm的输出功率为3.5V
27分贝增益与模拟GAIN(增益)
TROL
50 %的效率
1700MHz至1950MHz操作
支持DCS1800和
PCS1900
16
增值税EN 1
RF IN 2
3 GND1
VCC1 4
5
APC1
15
14
2f0
13
12 RF OUT
11 RF OUT
10 RF OUT
9 NC
8
NC
特点
6
APC2
应用
3V DCS1800 ( PCN )蜂窝
手机
3V DCS1900 ( PCS )蜂窝
手机
3V双频/三频手 -
商业和消费系
TEMS
便携式电池供电分析装备
换货
GPRS兼容
功能框图
产品说明
该RF5111是一种高功率,高效率的功率放大器模块提供高
性能中的GSM或GPRS的应用程序。该器件在一个制造
先进的GaAs HBT工艺制造,并已被设计用作最后的射频扩增
费里在DCS1800 / 1900手持式数字蜂窝设备和其他应用程序
在1700MHz至2000MHz的频段。板载电源控制提供了超过65分贝
控制范围与模拟电压输入,并提供功率下降为逻辑
“低”的待机操作。该设备是自包含50Ω输入和
输出可以很容易地匹配,以获得最佳的功率和效率characteris-
抽动。的RF5111可以连同RF5110用于双波段操作中使用。
该器件采用超小塑料封装,减少了所需的
电路板空间。
订购信息
RF5111
RF5111PCBA-41X
3V DCS功率放大器
完全组装的评估板
最佳技术Matching®应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
RF MICRO DEVICES® , RFMD® ,优化科技Matching® ,启用无线连接™ ,的PowerStar® , POLARIS ™ TOTAL RADIO ™和UltimateBlue ™是RFMD ,LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司,美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称,商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 © 2006年, RF Micro Devices公司
冯A1 DS060921
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
VCC
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