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型号: RF5117CPCBA
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内容描述: 3V , 1.8GHz的至2.8GHz线性功率放大器 [3V, 1.8GHz TO 2.8GHz LINEAR POWER AMPLIFIER]
分类和应用: 放大器功率放大器
文件页数/大小: 12 页 / 375 K
品牌: RFMD [ RF MICRO DEVICES ]
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RF5117C
3V , 1.8GHz的至2.8GHz
线性功率放大器
封装形式: QFN , 16引脚, 3× 3
VCC
14
特点
单3.3V电源
+ 30dBm的饱和输出
动力
26分贝小信号增益
高线性度
1800MHz至2800MHz频
昆西范围
+ 17dBm的P
O
, 11G , <3 % EVM
RF IN 1
BIAS GND1 2
PWR SEN 3
PWR REF 4
16
15
13
12 RF OUT
11 RF OUT
10 RF OUT
BIAS
5
VREG1
6
VREG2
7
BIAS GND 2
8
NC
VCC
9 NC
NC
应用
IEEE802.11b的无线局域网应用
系统蒸发散
IEEE802.11G WLAN应用
系统蒸发散
2.5GHz的ISM频段应用
系统蒸发散
商业和消费
系统
便携式电池供电
设备
扩频和MMDS
系统
功能框图
产品说明
该RF5117C是线性的,中等功率,高效率功放IC
专为电池供电的无线网络应用,如PC设计
卡,迷你PCI ,和Compact Flash应用程序。该装置是制造
捕获的原始图像采用先进的砷化镓异质结双极晶体管
(HBT)的过程,并且被设计用作最后的RF放大器
2.5GHz的WLAN和其他扩频发射机。该设备是亲
vided在一个3mmx3mm ,16引脚,无引线芯片载体与背侧
地面上。该RF5117C被设计为保持线性在宽范围内
的电源电压和功率输出。
订购信息
RF5117C
RF5117C PCBA
3V , 1.8GHz的至2.8GHz线性功率放大器
完全组装的评估板
最佳技术Matching®应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
RF MICRO DEVICES® , RFMD® ,优化科技Matching® ,启用无线连接™ ,的PowerStar® , POLARIS ™ TOTAL RADIO ™和UltimateBlue ™是RFMD ,LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司,美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称,商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 © 2006年, RF Micro Devices公司
转A6 DS071018
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
NC
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