RF5163
3V- 5V ， 2.5GHZ线性功率放大器
符合RoHS &无铅产品
包装： QFN ， 16引脚， 4x4的
特点
单3.3V或5V电源支持部门
股
+ 33dBm的饱和输出
功率（典型值）。
20分贝大信号增益（典型值）。
2.0 ％ EVM @ + 26dBm的，
54Mbps的（典型值）。
独立的电源
检测/掉电引脚
1800MHz至2500MHz的频
昆西范围
VCC1
VCC1
14
VCC
GND
13
12 RF OUT
11 RF OUT
10 RF OUT
BIAS
9 GND
8
NC
16
RF IN 1
VREG1GND 2
P DOWN 3
P DETECT 4
5
VREG1
15
VREG2
支持802.11b / g / n的无线接入点
PCS通信系统
2.4GHz的ISM频段应用
系统蒸发散
商业和消费
系统
便携式电池供电
设备
宽带扩频
系统
功能框图
产品说明
该RF5163是一种线性的，中等功率，高效率的功放IC设计specif-
ically用于低电压操作。该设备采用先进的GAL-制造
lium砷化镓异质结双极晶体管（ HBT ）工艺，并已
专为使用中的802.11b / g / n的无线接入点和Transmit最终RF放大器
字符。该装置被设置在一个4mmx4mm ，16引脚，无引线芯片载体与
擦屁股地。的RF5163被设计为保持线性度在一个很宽范围的
电源电压和功率输出。
订购信息
RF5163
RF5163L
RF5163PCBA-41X
RF5163PCBA-WD
3V- 5V ， 2.5GHz的线性功率放大器，哑光锡（无铅） FIN-
伊什
3V- 5V ， 2.5GHz的线性功率放大器，锡铅表面处理
完全组装的评估板
完全组装的评估板，与驱动程序
最佳技术Matching®应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
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VREG2 GND
应用
6
7
1 14
RFMD [ RF MICRO DEVICES ]
