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RF5184图片预览
型号: RF5184
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内容描述: 双频段的800MHz / 1900MHz的W- CDMA功率放大器模块 [DUAL-BAND 800MHz/1900MHz W-CDMA POWER AMPLIFIER MODULE]
分类和应用: 放大器功率放大器
文件页数/大小: 8 页 / 83 K
品牌: RFMD [ RF MICRO DEVICES ]
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RF5184
0
典型应用
• 3V W- CDMA蜂窝手机(带5 )
• 3V W- CDMA美国PCS手机(带2 )
双频段的800MHz / 1900MHz的
W- CDMA功率放大器模块
产品说明
4.0
-A-
-B-
该RF5184是一种高功率,高效率线性扩增
费里的模块专为3V手持系设计
TEMS 。该设备采用先进的第三个生产
代的GaAs HBT工艺制造,并且被设计为利用
如在W-CDMA中的手持式数字CEL-最终RF放大器
细胞性设备,扩频系统和其它
应用程序在824MHz至849MHz频段(波段5 )
和1850MHz至1910MHz频段(频段2 ) 。该RF5184
具有数字控制线,用于低功率应用到
低静态电流。的RF5184被组装在一
24引脚, 4mmx4mm , QFN封装。
1.00
0.80
0.10 C
4.0
0.10 C B
2 PL
0.10 C A
2 PL
0.2 C
阴影区域表示引脚1 。
尺寸(mm) 。
-C-
0.50 TYP
0.10 C A B
0.55
典型值
0.35
座位
飞机
规模:无
0.10 C
2.60
2 PL
2.40
0.05
典型值
0.00
0.203
典型值
0.08 C
0.30
典型值
0.18
0.10 M C A B
典型值
0.08
0.03
0.50
典型值
0.30
最佳技术Matching®应用
硅BJT
姒必-CMOS
的InGaP / HBT
VMODE -
封装形式: QFN , 24引脚, 4x4的
砷化镓HBT
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
VCC1 -
VCC2 -
VCC2 -
砷化镓MESFET
硅CMOS
硅锗双CMOS
特点
•输入/输出内部匹配50Ω @
• 43 %的峰值效率线性的细胞带
• -41dBc ACLR @ 5MHz时的电池带
24
VREG - PCS 1
RF IN - PCS 2
VREG - 小区3
VMODE - 小区4
RF IN - CELL 5
VCC1 - 小区6
7
NC
VCC
BIAS
23
22
21
20
VCC2 -
19
18 NC
17 NC
16 RF OUT - PCS
• -40dBc ACLR @ 5MHz的用于PCS频段
• 44 %的峰值效率线用于PCS频段
• HSDPA有能力
BIAS
BIAS
CELL
15 NC
14 RF OUT - 细胞
13 NC
订购信息
RF5184
双频段的800MHz / 1900MHz的W- CDMA功率
扩增fi er模块
RF5184PCBA -410完全组装的评估板
RF Micro Devices公司
桑代克路7628
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 , USA
电话:( 336 ) 664 1233
传真:( 336 ) 664 0454
http://www.rfmd.com
8
NC
9
VCC2 -
CELL
10
VCC2 -
CELL
11
VCC2 -
CELL
12
NC
功能框图
冯A0 060323
2-689