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RF5188 参数 Datasheet PDF下载

RF5188图片预览
型号: RF5188
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内容描述: 3V 1950MHz W- CDMA线性功率放大器模块 [3V 1950MHZ W-CDMA LINEAR POWER AMPLIFIER MODULE]
分类和应用: 放大器射频微波功率放大器
文件页数/大小: 8 页 / 211 K
品牌: RFMD [ RF MICRO DEVICES ]
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RF51883V
1950年兆赫W-
CDMA线性
电源扩增
费里模块
RF5188
3V 1950MHZ W- CDMA线性电源
扩增fi er模块
符合RoHS &无铅产品
封装形式: QFN , 16引脚, 3× 3
]
VCCBIAS
输入/输出内部
Matched@50Ω
27.5dBm线性输出功率
42 %的峰值效率线
28分贝线性增益
-42dBc ACLR @ ± 5MHz的
HSDPA有能力
RF IN 1
GND 2
VMODE 3
16
15
14
13
NC
IM
特点
VCC1/IM
12 VCC2
11 ,电源Vcc2
10 VCC2
BIAS
9 RF OUT
VREG 4
应用
3V W- CDMA频带1手机
多模式的W-CDMA的3G手 -
3V TD-SCDMA手机
扩频系统
5
NC
6
NC
7
NC
8
NC
功能框图
产品说明
该RF5188是一种高功率,高效率线性功率放大器模块专
专为3V手持系统。该设备采用先进的制造
第三代的GaAs HBT工艺制造,并且被设计用作最后的射频扩增
费里在3V W- CDMA手持式数字蜂窝设备,扩频系统,
在1920MHz至1980MHz频段和其他应用程序(频段1 ) 。该RF5188
具有数字控制线,用于低功率应用中,降低静态电流。该
RF5188是在16引脚, 3mmx3mm , QFN封装组装。
订购信息
RF5188
RF5188PCBA-41X
3V 1950MHz W- CDMA线性功率放大器模块
完全组装的评估板
最佳技术Matching®应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
RF MICRO DEVICES® , RFMD® ,优化科技Matching® ,启用无线连接™ ,的PowerStar® , POLARIS ™ TOTAL RADIO ™和UltimateBlue ™是RFMD ,LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司,美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称,商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 © 2006年, RF Micro Devices公司
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7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
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