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RF6100-1 参数 Datasheet PDF下载

RF6100-1图片预览
型号: RF6100-1
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内容描述: 3V 900MHz的线性功率放大器模块 [3V 900MHZ LINEAR POWER AMPLIFIER MODULE]
分类和应用: 放大器功率放大器
文件页数/大小: 8 页 / 166 K
品牌: RFMD [ RF MICRO DEVICES ]
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RF6100-13V
900MHz的Lin-的
耳电力
放大器MOD-
ULE
RF6100-1
3V 900MHZ线性电源
扩增fi er模块
符合RoHS &无铅产品
封装形式:模块(4毫米x 4 MM)
特点
输入/输出内部
Matched@50Ω
28dBm的线性输出功率
40 %的峰值效率线
-50dBc ACPR @ 885kHz
29分贝线性增益
53 % AMPS效率
VREG 1
VMODE 2
GND 3
RF IN 4
VCC1 5
BIAS
10 GND
9 GND
8 RF OUT
7 GND
6 VCC2
应用
3V CDMA / AMPS蜂窝
手机
3V CDMA20001 / X蜂窝
手机
扩频系统
功能框图
产品说明
该RF6100-1是一种高功率,高效率线性功率放大器模块专
专为3V手持系统。该设备采用先进的制造
第三代的GaAs HBT工艺制造,并且被设计用作最后的射频扩增
费里在3V IS- 95 / CDMA 2000 1X / AMPS手持式数字蜂窝设备,电子数
光谱系统,并在824MHz至849MHz频带的其他应用程序。该
RF6100-1具有数字控制线为低功耗应用,以降低静态
电流。该装置自包含与50Ω的输入和输出是匹配
获得最佳的功率,效率和线性度。该模块是一个4mmx4mm土地
栅格阵列与背面地面。该RF6100-1与行业兼容的足迹
标准4mmx4mm的CDMA模块,并且只需要一个去耦电容器。
订购信息
RF6100-1
3V 900MHz的线性功率放大器模块
RF6100-1PCBA - 41X完全组装的评估板
最佳技术Matching®应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
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标志着由Bluetooth SIG公司,美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称,商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 © 2006年, RF Micro Devices公司
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7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
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