SBB-3089Z
50MHz至
6000MHz
的InGaP HBT
有源偏置
增益模块
初步
SBB-3089Z
50MHz至6000MHz的InGaP HBT有源偏置
增益模块
符合RoHS和无铅产品
封装形式：SOT -89
产品说明
RFMD的SBB - 3089Z是一款高性能的InGaP HBT MMIC放大器，泌尿道感染
lizing达林顿配置与有源偏置网络。活跃
偏置网络提供稳定的电流随温度和工艺测试版
的变化。在SBB - 3089Z产品是专为高线性增益的5V
模块适用于需要优异的增益平坦度，体积小，和采矿
进制的外部元件。据内部匹配至50Ω 。
增益和回波损耗
V
S
= 5V ，我
S
± 42毫安
特点
固定单5V电源
专利的自偏置电路和
热设计
增益= 16.4dBm ，在1950MHz
P
1dB
= 15.2dBm ，在1950MHz
OIP
3
= 29.5dBm ，在1950MHz
强大的1000V的ESD ， 1C类
HBM
MSL 1潮湿的评价
优化技术
Matching®应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
dB
30.0
20.0
S21
10.0
偏置T形数据，Z
S
= Z
L
= 50
0.0
, T
L
= 25°C
应用
PA驱动放大器
蜂窝，PCS ，GSM，UMTS
IF放大器
无线数据，卫星
宽带仪表
4.0
5.0
6.0
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
RF MEMS
-10.0
S11
-20.0
S22
-30.0
0.0
1.0
2.0
3.0
频率（GHz ）
参数
小信号增益
分钟。
规范
典型值。
16.6
16.4
16.3
15.6
15.2
15.4
30.0
29.5
29.5
21.0
25.5
3.9
4.2
42.0
马克斯。
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dB
V
mA
mA
° C / W
条件
850MHz
1950MHz
2400MHz
850MHz
1950MHz
2400MHz
850MHz
1950MHz
2400MHz
1950MHz
1950MHz
1950MHz
R
DC
=20Ω, V
S
=5.0V
R
DC
=20Ω, V
S
=5.0V
每通过R用户喜好
DC
交界处领导
在1dB压缩输出功率
输出三阶截点
输入回波损耗
输出回波损耗
噪声系数
器件工作电压
4.3
器件工作电流
工作电流范围
30
46
热阻
80
测试条件： V
D
= 4.2V我
D
= 42毫安牛逼
L
= 25°C OIP
3
音频间隔= 1MHz的
R
DC
= 20Ω偏置T恤数据Z
S
=Z
L
=50Ω P
OUT
每个音= -5dBm
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