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SPA-1426Z 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SPA-1426Z
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内容描述: 0.7GHz至2.2GHz的1W的InGaP HBT放大器 [0.7GHz to 2.2GHz 1W InGaP HBT AMPLIFIER]
分类和应用: 放大器射频微波
文件页数/大小: 14 页 / 518 K
品牌: RFMD [ RF MICRO DEVICES ]
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SPA-1426Z
0.7GHz至
2.2GHz的1W
的InGaP HBT
扩音器
初步
SPA-1426Z
0.7GHz至2.2GHz的1W的InGaP HBT放大器
符合RoHS和无铅产品
包装: SOF -26
产品说明
RFMD的SPA- 1426Z是一款高线性单级A类异质结双极
晶体管(HBT)的功率放大器。该SPA- 1426Z是用的InGaP-上的GaAs
设备技术和制造的MOCVD与低成本的完美结合
和高可靠性。它非常适合于用作宏/微小区中的驱动器级
基础设施设备,或者作为在微微小区基础设施最后输出级
设备。它具有输入功率检测器,开/关电源控制, ESD保护
化,出色的整体鲁棒性和手返修和耐热增强型
SOF -26封装。
优化技术
Matching®应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
( DBC)
特点
P
1dB
= 29.5dBm @ 2140MHz时
ACP = -65dBc具有17.0dBm
信道功率@ 2140MHz时
低热阻
上电/掉电Control<1μs
强大的类1C ESD防静电
ACP与信道功率, 2140MHz时, W- CDMA
-35.0
-40.0
-45.0
-50.0
-55.0
-60.0
-65.0
-70.0
-75.0
8.0
10.0
12.0
14.0
16.0
18.0
20.0
22.0
-40°C
25°C
85°C
应用
宏/微驱动单元
舞台
微微蜂窝输出级
GSM,CDMA ,TDSCDMA
WCDMA ,IS-95
单载波和多载波应用程序
阳离子
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
RF MEMS
信道功率输出( DBM)
参数
小信号增益
分钟。
规范
典型值。
16.5
14.0
14.0
29.5
28.5
29.5
43.0
47.0
46.5
马克斯。
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dB
mA
885MHz
1960MHz
2140MHz
885MHz
1960MHz
2140MHz
885MHz
条件
在1dB压缩输出功率
输出三阶截点, 18dBm的每
音,间隔为1MHz
W- CDMA信道功率
-65dBc ACP
-55dBc ACP
-65dBc ACP
-55dBc ACP
-65dBc ACP
-55dBc ACP
输入回波损耗
输出回波损耗
噪声系数
工作电流(V
CC
= 5V ) ,静态
工作电压
上电控制电流(V
PC
=5V)
V
CC
漏电流(Ⅴ
CC
=5V, V
PC
=0V)
热阻(结带领)
测试条件: V
CC
= 5V I
CQ
= 325毫安典型。
15.0
8.0
14.2
18.4
16.5
18.5
17.0
19.0
18.0
10.5
5.4
325.0
5.0
2.1
21
5.5
100.0
1960MHz
2140MHz
3GPP 3.5 ,测试模型1 , 64 DPCH
885MHz
885MHz
1960MHz
1960MHz
2140MHz
2140MHz
1960MHz
1960MHz
1960MHz
V
mA
μA
° C / W
T
L
=25°C
Z
S
=Z
L
=50Ω
RF MICRO DEVICES® , RFMD® ,优化科技Matching® ,启用无线连接™ ,的PowerStar® , POLARIS ™ TOTAL RADIO ™和UltimateBlue ™是RFMD ,LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司,美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称,商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 © 2006年, RF Micro Devices公司
EDS - 105883修订版B
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
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