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MSDM-50图片预览
型号: MSDM-50
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内容描述: MSDM系列FAST / TTL缓冲三自主延误 [MSDM Series FAST / TTL Buffered Triple Independent Delays]
分类和应用: 延迟线逻辑集成电路光电二极管
文件页数/大小: 1 页 / 32 K
品牌: RHOMBUS-IND [ Rhombus Industries Inc. ]
   
MSDM
系列
FAST / TTL
缓冲三自主延误
14引脚封装商用
而军用级版本
FAST / TTL逻辑缓冲
3独立平等延迟线
***独特的延误每行可***
工作温度范围
0
O
C至+70
O
C或-55
O
C至+ 125
O
C
8引脚DIP / SMD版本: FAM3D系列
14引脚DIP / SMD版本: FAI3D系列
电气规格25
O
C
14针DIL TTL缓冲
延迟
三自主延误
公差
广告
MIL-级
(纳秒)
产品型号
产品型号
MSDM-5
MSDM3-5M
5 ± 1.00
MSDM-6
MSDM3-6M
6 ± 1.00
MSDM-7
MSDM3-7M
7 ± 1.00
MSDM-8
MSDM3-8M
8 ± 1.00
MSDM-9
MSDM3-9M
9 ± 1.00
MSDM-10
MSDM3-10M
10 ± 1.50
MSDM-15
MSDM3-15M
15 ± 2.00
MSDM-20
MSDM3-20M
20 ± 2.00
MSDM-25
MSDM3-25M
25 ± 2.00
MSDM-30
MSDM3-30M
30 ± 2.00
MSDM-35
MSDM3-35M
35 ± 2.00
MSDM-40
MSDM3-40M
40 ± 2.00
MSDM-45
MSDM3-45M
45 ± 2.25
MSDM-50
MSDM3-50M
50 ± 2.50
MSDM-60
MSDM3-60M
60 ± 3.00
MSDM-70
MSDM3-70M
70 ± 3.50
MSDM-75
MSDM3-75M
75 ± 3.75
MSDM-80
MSDM3-80M
80 ± 4.00
MSDM-90
MSDM3-90M
90 ± 4.50
MSDM-100
MSDM3-100M
100 ± 5.0
MSDM
14引脚示意图
VCC
14
出1
12
输出2
10
OUT 3
8
1
IN 1
3
IN 2
5
IN 3
7
GND
测试条件
- FAST / TTL
V
CC
电源电压................................................ 5.00VDC
输入脉冲电压............................................... .... 3.20V
输入脉冲上升时间....................................... 3.0 ns(最大值) 。
输入脉冲宽度/周期..........................二千分之千NS
1.测量在25日订立
O
C
2.延迟时间测量的前沿1.50V的水平。
从测量0.75V至2.40V 3.上升时间。
4. 10pF的探头和夹具测试输出负载。
尺寸以英寸(毫米)
商业级的14引脚封装与未使用的信息删除
按示意图。 (对于军用级MSDM3高度为0.335" )
.810
(20.57)
马克斯。
.400
(10.16)
马克斯。
操作规范
V
CC
电源电压................................... 5.00 ± 0.25 VDC
I
CC
电源电流.......................... 45毫安(典型值) ,最大95毫安。
逻辑“1”输入: V
IH
....................... 2.00 V分钟, 5.50 V最大。
I
IH
............................... 20
µA
最大。 @ 2.70V
逻辑“0”输入: V
IL
........................................... 0.80 V最大。
I
IL
............................................ -0.6麻麻
V
OH
逻辑“1”电压输出.................................. 2.40 V分钟。
V
OL
逻辑“0”电压输出................................ 0.50 V最大。
P
WI
输入脉冲宽度...........................延时分钟100% 。
工作温度范围........................... 0
O
70
O
C
存储温度范围-65 .....................
O
+150
O
C
.245 .275
(6.22) (6.99)
典型值。马克斯。
.120
(3.05)
分钟。
.010
(0.25)
典型值。
.300
(7.62)
.200
(5.08)
典型值。
.050
(1.27)
典型值。
.020
(0.51)
典型值。
P / N描述
MSDM
-
XXX X
三重缓冲延迟:
14针Com'l :
MSDM
14针MIL :
MSDM3
总延时为纳秒( NS )
温度。范围空白=商业
M =军用级
示例: MSDM -25 =
25ns的(每线为25ns )
74F , 14引脚通孔
MSDM3-50M = 50ns的(每线为50ns )
74F , 14引脚,军用级
MIL- GRADE :
MSDM3军用级延迟线中使用积分
磨碎的电路筛选,以MIL- STD- 883B与操作
-55到+125温度范围
O
C.这些器件具有一个
对0.335"封装高度
自动导入DIP和表面贴装版本:
请参阅
FAI3D
系列相同的14针足迹。
为了节省空间,是指
FAM3D
8针系列
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
对于其他值&定制设计,请与工厂联系。
MSDM 9901
菱形
工业公司
15801化工巷,亨廷顿海滩, CA 92649-1595
电话: ( 714 ) 898-0960
传真: ( 714 ) 896-0971
www.rhombus-ind.com
电子邮件:销售@
rhombus-ind.com