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2N4119 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2N4119
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内容描述: N沟道硅结型场效应晶体管 [N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 17 页 / 358 K
品牌: RHOPOINT [ RHOPOINT COMPONENTS ]
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01/99
B-9
2N4117 , 2N4117A , 2N4118 , 2N4118A , 2N4119 , 2N4119A
N沟道硅结型场效应晶体管
¥音频放大器
日元超高输入阻抗
放大器器
在T绝对最大额定值
A
= 25¡C
反向栅源&反向栅极漏极电压
连续正向栅电流
连续器件功耗
功率降额( 175° C)
– 40 V
50毫安
300毫瓦
2毫瓦/°C的
在25 ℃的自由空气温度:
静态电气特性
门源击穿电压
门反向电流
2N4117, 2N4118, 2N4119
2N4117A , 2N4118A , 2N4119A
门源截止电压
饱和漏电流(脉冲)
2N4117, 2N4118, 2N4119
2N4117A , 2N4118A , 2N4119A
动态电气特性
常见的来源前进
共源输出电导
共源输入电容
共源反向
传输电容
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
V
( BR ) GSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
I
GSS
2N4117
2N4117A
– 40
– 10
–1
– 0.6
0.03
0.015
– 1.8
0.09
0.09
最大
2N4118
2N4118A
– 40
– 10
–1
–1
0.08
0.08
–3
0.24
0.24
最大
2N4119
2N4119A
– 40
– 10
–1
–2
0.2
0.2
–6
0.6
0.6
最大
单位
V
pA
pA
V
mA
mA
过程NJ01
测试条件
I
G
= - 1μA ,V
DS
= ØV
V
GS
= – 20V, V
DS
= ØV
V
GS
= – 20V, V
DS
= ØV
V
DS
= 10V ,我
D
= 1 NA
V
DS
= 10V, V
GS
= ØV
V
DS
= 10V, V
GS
= ØV
70
210
3
3
1.5
80
250
5
3
1.5
100
330
10
3
1.5
µS
µS
pF
pF
V
DS
= 10V, V
GS
= ØV
V
DS
= 10V, V
GS
= ØV
V
DS
= 10V, V
GS
= ØV
V
DS
= 10V, V
GS
= ØV
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
TOÐ72套餐
尺寸以英寸(毫米)
引脚配置
1来源, 2漏, 3门, 4保护套
www.interfet.com
1000 N.希洛路,花环,TX 75042
(972) 487-1287
传真
(972) 276-3375