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RT8004 参数 Datasheet PDF下载

RT8004图片预览
型号: RT8004
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内容描述: 3A,为4MHz ,同步降压型稳压器 [3A, 4MHz, Synchronous Step-Down Regulator]
分类和应用: 稳压器
文件页数/大小: 16 页 / 248 K
品牌: RICHTEK [ RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION ]
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RT8004
该RT8004包含一个内部软启动夹钳
逐步提高后的EN / SS引脚COMP端的钳位
被拉到0.8V以上。全电流范围变
可在COMP后1024开关周期。如果需要更长
需要软启动期间, COMP端的钳位可
外部设置有当EN / SS的一个电阻和电容
引脚如图典型应用电路。软启动
持续时间,可以计算通过使用以下公式:
T
SS
=
R
SS
乘C
SS
X LN (
V
IN
) (s)
V
IN
1.8V
损耗正比于V
DD
因此它们的作用将
在较高的电源电压更加明显。
2. I
2
ř损失由的电阻计算
内部开关, RSW和外部电感ř
L
。在
连续模式下的平均输出电流超欠佛罗里达州
通过电感L为
“斩”
主开关之间
和同步开关。因此,串联电阻
寻找到的LX引脚底部和顶部的功能
MOSFET ř
DS ( ON)
和占空比(DC)如下:
R
SW
= R
DS ( ON) TOP
X DC + R
DS ( ON) BOT
×(1 - DC)的
第r
DS ( ON)
对于顶部和底部的MOSFET可以是
从典型性能特征得到
曲线。因此,为了获得我
2
ř损失,只需加上R
SW
与R
L
并通过平均输出的平方相乘的结果
电流。
其他损失包括C
IN
和C
OUT
ESR耗散
损耗和电感磁芯损耗一般占不到
比总损耗的2%。
散热注意事项
在大多数应用中, RT8004不消耗太多
热,由于其高效率。但是,在应用中
该RT8004是在环境温度高与运行
低电源电压和高占空因数,例如在
差,热耗散可能超过最大
该部分的结温。如果结温
达到约150 ° C,两个电源开关会
被关闭和SW节点将变为高
阻抗。避免RT8004从超过
最大结温,用户需要做的
一些热分析。热分析的目标
是确定的功率是否超过了消耗
该器件的最大结温。该
温升由下式给出:
T
R
= P
D
x
θ
JA
其中,P
D
是功率消耗的调节器和
θ
JA
是从模具的接合处的热阻
至环境温度。结温,T
J
,
由下式给出:
T
J
= T
A
+ T
R
其中T
A
是在室温下进行。
效率方面的考虑
的开关稳压器的英法fi效率等于输出
电源的输入功率乘以100 %分成。它往往是
分析单独损耗,以确定什么是有用
限制EF网络效率并改变会产生
最大的改进。效率可以表示为:
效率= 100%
(L1+ L2+ L3+ ...)
其中, L1,L2等是个别的损失以百分数
输入功率。虽然在所有的耗能元件
电路产生的损失,两个主要来源通常占
对于大部分的损失: VDD的静态电流和予
2
R
损失。在VDD静态电流损耗占主导地位的
效率损失在非常低的负载电流,而余
2
R
损失占主导地位,在培养基中的效率损失,高负荷
电流。在典型的英法fi效率情节,英法fi效率曲线
在非常低的负载电流可以自误导
实际功率失去了无关紧要的。
1. VDD的静态电流是由于两个部件:
的DC偏置电流在电气特性给予
和内部主开关和同步开关门
充电电流。栅极电荷从目前的结果
开关内部电源的栅极电容
MOSFET开关。每次栅极从接通
充电前高后低到高再包
ΔQ
MOVES
从V
DD
到地面。由此产生的
ΔQ /ΔT
是当前的出
V的
DD
这通常比DC偏置电流。在
连续模式,
I
GATECHG
= F (Q
T
+Q
B
)
其中Q
T
和Q
B
是内部上方的栅极电荷
和底部的开关。二者的直流偏置和栅极电荷
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DS8004-03
2007年9月