RT8008
参数
FB输入电流
PMOSFET ř
ON
符号
I
FB
V
FB
= V
IN
V
IN
= 3.6V
V
IN
= 2.5V
V
IN
= 3.6V
V
IN
= 2.5V
测试条件
民
−50
--
--
--
--
1
1.5
--
--
--
f
OSC
T
SD
V
IN
= 3.6V ，我
OUT
= 100毫安
1.2
--
--
100
V
IN
= 3.6V, V
LX
= 0V或V
LX
= 3.6V
−1
典型值
--
0.3
0.4
0.25
0.35
--
--
--
1.8
0.1
1.5
160
50
--
--
最大
50
--
--
--
--
1.8
--
0.4
--
--
1.8
--
--
--
1
单位
nA
Ω
Ω
A
V
V
V
V
兆赫
°C
ns
%
µA
P
RDS （ ON）
I
OUT
= 200毫安
NMOSFET ř
ON
P沟道限流
EN高电平输入电压
EN低电平输入电压
欠压锁定阈值
迟滞
振荡器频率
热关断温度
分钟。准时
马克斯。占空比
LX漏电流
N
RDS （ ON）
I
OUT
= 200毫安
I
P（ LM ）
V
ENH
V
ENL
V
IN
= 2.5V至5.5V
V
IN
= 2.5V至5.5V
V
IN
= 2.5V至5.5V
注： 1 。
列为上述应力
“绝对
最大额定值“，可能对器件造成永久性损坏。这些是
压力等级。该设备在这些或超出任何其他条件的功能操作所指示的
规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能仍然可能影响器件的可靠性。
注2 。
设备是ESD敏感。处理防范建议。
注3 。
该设备是不能保证超出其工作条件下运行。
注4 。
θ
JA
是在T测定在自然对流
A
= 25 ℃，在低有效单个层的热导率测试的板
JEDEC 51-3的热测量标准。的SOT- 23-5 / TSOT- 23-5封装的引脚2的位置的情况下
θ
JC
测量。
2007年DS8008-04三月
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