RT8009
参数
输出电压
准确性
FB输入电流
R
DS （ ON）
P沟道MOSFET
R
DS （ ON）
N沟道MOSFET
P沟道限流
EN高电平输入电压
EN低电平输入电压
欠压锁定阈值
迟滞
振荡器频率
f
OSC
V
IN
= 3.6V ，我
Ø UT
= 100毫安
可调整的
符号
ΔV
OUT
I
FB
测试条件
V
IN
= V
OUT
+
ΔV
至5.5V
0A <我
OUT
< 600毫安
V
FB
= V
IN
V
IN
= 3.6V
V
IN
= 2.5V
V
IN
= 3.6V
V
IN
= 2.5V
（注5 ）
民
典型值
--
--
0.3
0.4
0.25
0.35
--
--
--
1.8
0.1
1.25
160
50
--
--
最大
+3
50
0.65
0.80
0.55
0.65
1.8
--
0.4
--
--
1.85
--
--
--
1
单位
%
nA
Ω
−
3
−50
--
--
--
--
1
1.5
--
--
--
0.8
--
--
100
R
DS （ ON） _P
I
OUT
= 200毫安
R
DS （ ON） _N
I
OUT
= 200毫安
I
LIM_P
V
EN_H
V
EN_L
V
IN
= 2.5V至5.5V
V
IN
= 2.5V至5.5V
V
IN
= 2.5V至5.5V
Ω
A
V
V
V
V
兆赫
°C
ns
%
μA
热关断温T
SD
分钟。准时
马克斯。占空比
LX漏电流
V
IN
= 3.6V, V
L X
= 0V或V
LX
= 3.6V
-1
注： 1 。
列为上述应力
“绝对
最大额定值“，可能对器件造成永久性损坏。这些是
压力等级。该设备在这些或超出任何其他条件的功能操作所指示的
规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能仍然可能影响器件的可靠性。
注2 。
设备是ESD敏感。处理防范建议。
注3 。
该设备是不能保证超出其工作条件下运行。
注4 。
θ
JA
是在T测定在自然对流
A
= 25℃上的一个低的有效热导率测试板
JEDEC 51-3的热测量标准。
注5 。
ΔV
= I
OUT
个R
DS （ ON） _P
2007年DS8009-03三月
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5
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