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    RT9167-50PB 参数 Datasheet PDF下载

    RT9167-50PB图片预览
    型号： RT9167-50PB
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    内容描述： 低噪声，固定输出电压， 300毫安/ 500毫安LDO稳压器 [Low-Noise, Fixed Output Voltage,300mA/500mA LDO Regulator]
    分类和应用： 稳压器
    文件页数/大小： 13 页 / 231 K
    品牌： RICHTEK [ RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION ]
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    RT9167/A
    负载瞬态注意事项
    该RT9167 / A负载瞬态响应曲线（见典型
    工作特性）表现出的两种组分
    输出响应：从输出阻抗的直流漂移
    由于负载电流变化，并且瞬态响应。
    直流偏移非常小，由于优异的负载
    调控的IC 。典型输出电压瞬间秒杀
    在负载电流阶跃变化从0mA至50mA左右
    几十毫伏，具体取决于输出电容的ESR 。
    增大输出电容的值以及降低
    ESR衰减过冲。
    关断输入操作
    该RT9167 / A是由关闭
    将EN输入低电平，
    并打开通过驱动输入高。如果该功能
    不被使用时， EN输入应连接到VIN ，以保持
    在任何时候（ EN输入的稳压器必须
    不
    留
    浮动） 。
    以确保适当的操作中，信号源用于
    驱动EN输入必须能够上方和下方摆动
    指定的导通/关断电压阈值进行
    保证一个ON或OFF状态（见电气
    特性） 。的ON / OFF信号可以来自
    无论是CMOS输出或集电极开路输出，上拉
    电阻的RT9167 / A输入电压或其它逻辑
    供应量。高电平的电压可能超过
    RT9167 / A的输入电压，但必须保持在该
    为EN引脚的绝对最大额定值。
    内部P沟道MOSFET
    该RT9167 / A拥有一个典型的1.1Ω P沟道MOSFET
    通过晶体管。它提供了类似的几大优势
    使用PNP旁路晶体管，包括更长的设计
    电池寿命。所述P沟道MOSFET不需要基
    驱动器，从而降低了静态电流很大。 PNP-
    根据监管机构在浪费大量的差电流
    当导通晶体管饱和。他们还利用高
    大负荷下的基极驱动电流。该RT9167 / A不
    没有这些问题，受苦，仅消耗80μA的
    静态电流是否在降，轻载或重链
    负载应用。
    科幻gure 3
    反向电流路径
    在RT9167 / A使用的功率晶体管具有内在的
    二极管连接在所述调节器的输入和输出之间
    （参见图3）。如果输出被强制输入以上通过
    超过一个二极管压降，该二极管将成为向前
    偏置，电流会从V流
    OUT
    终端到V
    IN
    .
    该二极管也将急剧加强的导通
    输入电压低于输出电压的值。为了防止
    调节器误动作，应使用一个肖特基二极管
    在任何应用中，输入/输出电压条件
    会引起内部二极管导通（参见图4） 。
    如图所示，肖特基二极管并联连接。
    与内部寄生二极管，并防止它被
    通过限制其两端的电压降至约接通
    0.3V 。 < 100毫安，以防止损坏的部分。
    输入输出（降）电压
    监管机构的最小输入输出电压差
    （或压差）确定的最低可用电源
    电压。在电池供电的系统，这将决定
    报废的有用的电池电压。由于RT9167 /
    A使用一个P沟道MOSFET导通晶体管，辍学
    电压是漏极 - 源极导通电阻的函数
    [R
    DS （ ON）
    ]乘以负载电流。
    VIN
    VOUT
    VIN
    VOUT
    图4
    DS9167 / A- 2007年3月26日
    www.richtek.com
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