RT9194
PNP晶体管的选择
该RT9194可以驱动PNP晶体管下沉的输出电流。 PNP晶体管的选择标准包括：直流电流
增益ħ
FE
，阈值电压V
EB
，集电极 - 发射极电压V
CE
最大持续集电极电流I
C
，包热
阻力
θ
（ JA ） 。
例如， PNP晶体管工作的灌电流可达0.5A ，当输入电压为1.5V ，并设置输出
电压为1.2V 。如图3. KSB772 PNP晶体管显示， V
CE
= 1.2V, V
BE
= -1V ，我
C
= 0.5A ，我
B
= 0.5/160
]
3.125毫安，当DRI脚电压为0.2V，可沉6.8毫安
（最大）
是一场势均力敌的比赛。
吸收电流和电压DRI
V
IN
25
PGOOD
V
CC
VCC
Ccc
GND
DRI
PGOOD
RT9194
FB
Q2
R
PGOOD
Q1
V
OUT
R1
C
OUT
灌电流（mA ）
C
IN
20
15
芯片使能
EN
10
5
R2
T
A
= 25°C
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
科幻gure 3
DRI电压（V ）
图4
布局的注意事项
有三个关键的设计考虑因素。一个是分压电阻器应设于RT9194尽可能
避免引起任何的噪音。第二个是电容器的地方。了C
IN
和C
OUT
具有把附近的NMOS的提高
性能。三是铜区通行证件。我们当旁路元件工作考虑
高功率的情况下，这可能会上升的结温。除了封装热阻限制，
我们可以添加铜区，以改善功耗。如显示在图5和图6 。
V
IN
V
IN
PGOOD
C
IN
+
V
CC
VCC
Ccc
GND
DRI
PGOOD
RT9194
FB
R
PGOOD
Q1
V
OUT
GND
芯片使能
EN
V
CC
R1
C
OUT
+
PGOOD
V
OUT
EN
FB
+
R2
GND
图5
2007年DS9194-08三月
图6
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