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典型应用，应用提示
PMOS
L
V
IN
C
IN
CE
GND
VD
OUT
EXT
V
OUT
SD1
C
OUT
R1
VCC
复位/
CE控制
中央处理器
PMOS ： HAT1020R （日立） ， Si3443DV （ Siliconix公司）
SD1
C
IN
： RB491D （罗门哈斯）
： 10MF （钽电容）
L： CD105 （墨田区，分别按27MH ）
C
OUT
： 47mF （钽电容）
R1 ： 100千瓦
当你使用这些IC ，请考虑以下问题;
l
如图所示的框图中，寄生二极管形成在每个终端，每个这些二极管的未形成
对于负载电流，因此不以这样的方式使用它。当您通过其他电源控制CE引脚，
不使其"H"水平比V的电压电平更
IN
引脚。
l
检测器阈值滞后设定为检测器的阈值电压的3％。 （最小的1％ ，最高5％ ）
l
设置检测器的阈值电压范围取决于所用DC / DC变换器的输出电压。
从复位状态释放电压不得超过DC / DC转换器的输出电压。
的DC / DC converter'0.98 （检测电压Voltage'1.07 <输出电压
l
当R1221NXXXX是在待机模式下， VD的输出电压
OUT
为GND电平，所以，如果拉
电阻VD
OUT
引脚上拉另一个电源，一定量的电流的加载通过
电阻器。
l
锁存型保护电路的操作如下;
当最大占空比持续时间大于保护电路的延迟时间， （参考电
特性）的保护电路的工作原理，以关断外部功率MOS其锁存操作。
因此，当一个输入/输出电压差较小时，保护电路可以在小负载工作，即使
电流。
要解除保护状态后，禁止该IC具有芯片使能电路，再启用它，或者重新启动该IC
具有上电。然而，在重新启动该集成电路与电源接通时，电源后的情况下是关闭的，如果
有一定量的电荷保持在C中
IN
或某一电压被强制到V
IN
从C
IN
，此集成电路可能不
即使是上电后重新启动。
如果电源电压的上升转变的速度太慢，或者这是需要的V中的时间
IN
电压达到
的DC / DC变换器的输出电压是高于软起动时间加上延迟时间为保护电路更长，
保护电路V之前的工作原理
IN
电压达到的DC / DC变换器的输出电压。为避免出现这种情况，
使该IC停用（ CE = “L” ） ，再用力V
IN
电压，V后
IN
电压变得等于或大于
V
OUT
，使该IC能（ CE = “H” ） 。
l
设置外部元件尽可能接近的IC和尽量减少部件之间的连接
和IC 。特别是，电容器应连接到V
OUT
引脚的最小连接。并进行
充分接地，并加强供应。大开关电流流过电源的连接
供给，电感器和V的连接
出。
如果电源线的阻抗高时，电压电平
在IC的电源波动与开关电流。这可能会导致IC的运行不稳定。
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修订版1.11
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RICOH [ RICOH ELECTRONICS DEVICES DIVISION ]
