s
手术
V
DD
R
D
Tr.1
Tr.2
NCH
Rc
GND
施密特触发器
PCH
OUT
电流源
Ra
比较
-
+
Rb
VREF
输出电容
C
D
图。 1框图与外部电容
1
2
3
4
5
释放电压
+
VDET
检测阈值
电源电压
VDDL
（VDD）的
最小工作
电压
GND
运行状态
比较器（ - ）引脚
输入电压
比较器输出
Tr.1 ， 2
NCH
输出Tr的。
1
Ι
L
关闭
关闭
ON
2
ΙΙ
H
ON
ON
关闭
3
ΙΙ
不定
不定
不定
不定
4
ΙΙ
H
ON
ON
关闭
5
Ι
L
关闭
关闭
ON
B
迟滞范围
-V
DET
A
输出电压
（下）
延迟时间
GND
PCH
Ι
ΙΙ
RB + RC
×V
DD
RA +的Rb + RC
Rb
×V
DD
RA + RB
图。 2运行图
1.输出电压等于电源电压。 （对于N沟道开漏式，等于上拉电压。 ）
2.当电源电压下降到所述检测器的阈值电压电平（点A ） ，
Vref≥V
DD×(
RB + RC ） / （RA +的Rb + RC ）为真，则比较器的输出从“L ”变为“ H”逆转，因此，
输出电压变为GND电平。
3.当电源电压低于最小工作电压低，输出晶体管的操作
不定。在N沟道开漏型的情况下，输出电压等于上拉电压。
4.输出电压变为GND电平。
5.当电源电压低于释放电压（B点） ， Vref≤V更高
DD×
RB / （RA +包）为真，则
比较器的输出达到该阈值水平，和Shmitt触发器的输出从“H ”到扭转
为“L” ，则输出电压等于电源电压。 （对于N沟道开漏式，等于上拉电压。 ）
* ）发行日期电压和检测器的阈值电压之间的差值是指滞后范围
电压。
修订版1.10
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