s
手术
q
VD1 /过充电检测中的“C”版
该VD1监视V
DD
引脚电压。当V
DD
电压超过过充电检测电压V
DET1
从低值到
值比V高
DET1
时， VD1可以感受到一个过充电和外接充电控制N -MOS -FET转向
“OFF”用C
OUT
引脚处于“低”级别。
可以有两种情况重置VD1做了C
OUT
引脚电平检测后，过充“高”了。重置
在VD1可以使充电系统允许以恢复充电过程。
第一种情况是在这样的条件下，一个时间在V
DD
电压开始下降到一个较低的水平比“V
REL1
”.
而在第二种情况下，在连接了一种装载到V
DD
后切断从电池组充电器可以使
在VD1重置时， V
DD
电平是在“V之间
DET1
'和'V
REL1”
.
后与V检测到过充电
DD
比V高电压
DET1
，连接系统负载到电池组使
通过外部充电控制用FET的寄生二极管负载电流的允许。
了C
OUT
电平将在V是高
DD
电平被灌进到低于伏的电平
DET1
通过负荷连续拉拔
电流。
为过充电检测时的延迟时间可以通过外部电容器C3在V之间的连接设置
SS
引脚和的Ct
引脚。外部电容器可以使从一个时刻的延迟时间检测过充电到时间输出一个信号，它
使充电控制用FET转向“OFF” 。
当V
DD
水平上升到一个更高的水平比V
DET1
如果在V
DD
电压将返回到比伏的电平低
DET1
的输出延迟时间的时间周期内， VD1不会输出一个用于接通充电控制用FET “关闭”信号。
输出的延迟时间可以被计算如下：
tV
DET1
[秒] = （C [F]中
×
(V
DD
[V]-0.7) / (0.48
×
10
-6
)
注： TOPT = 25°C V
DD
值应该是经过过充电检测。
在缓冲驱动器整合为C A电平转换器
OUT
引脚使C的“低”水平
OUT
引脚和V - 引脚电压和
C的“高”电平
OUT
引脚设置为V
DD
电压CMOS缓冲器。
q
VD2 /过放电检测仪
该VD2正在监视V
DD
引脚电压。当V
DD
电压超过过放电检测电压V
DET2
从A
高值的值比在V低
DET2
时， VD2能够感知的过放电和外部放电控制N沟
MOS FET变为“ OFF”用D
OUT
引脚处于“低”级别。
要重置与D中的VD2
OUT
引脚电平为“H”之后检测到过放电再有必要连接充电器
为R5421NxxxC电池组。当V
DD
电压保持在过放电检测阈值V
DET2
收费
目前在V后可以流过外部放电控制MOS FET的寄生二极管，然后
DD
电压来达到一
价值比V大
DET2,
D
OUT
成为"H"放电过程中就能够提前通过ON状态MOS FET
放电控制。
连接充电器给电池组使得对D
OUT
电平为“H”，在V瞬间时
DD
电压较高
比V
DET2
.
此外，对于R5421NxxxF ，当电池电压达到等于或大于过放电释放电压，或V
REL2
，过
放电条件也可被释放
当电池电压等于零时，连接充电器来对电池组使得该系统允许以更高的充电
充电电压比VST， 1.2V最大。
在过放电检测时的延迟时间是内部固定的，电视
DET2
= 10毫秒（典型值） 。在V
DD
= 2.4V 。当V
DD
水平
正在下降到较低的水平比V
DET2
如果在V
DD
电压将返回到一个电平比在V更高
DET2
一时间内
的输出延迟的时间段，VD2不会输出一个信号用于接通的放电控制用FET的“关”。
检测过放电由VD2后，电源电流将减少到通常0.3μA （对于R5421NxxxC ）或
1.0μA （用于R5421NxxxF ）在V
DD
= 2.0V ，并进入待机状态，只有充电器检测器工作。
D的输出类型
OUT
销具有Ⅴ的“ H”电平的CMOS
DD
和“L”的V电平
SS
.
Rev.1.11
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RICOH [ RICOH ELECTRONICS DEVICES DIVISION ]
