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MF28F008-12 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MF28F008-12
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内容描述: 8兆比特( 1兆比特×8 ) FLASH内存扩展Cycllng Capablllty [8 MBIT (1 MBIT x 8) FLASH MEMORY Extended Cycllng Capablllty]
分类和应用: 内存集成电路
文件页数/大小: 14 页 / 1170 K
品牌: ROCHESTER [ Rochester Electronics ]
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表5
© 2013罗彻斯特电子有限责任公司。版权所有04242013
M28F008
该M28F008 8兆位FlashFile内存固态最高密度非易失性读/写解决方案
存储。该M28F008的扩展循环,阻塞对称架构,快速的存取时间,写
自动化和低功耗提供了更可靠的,低功耗,重量轻和高
性能替代传统的旋转磁盘技术。该M28F008带来了新的功能,便携
计算。存储在居民的闪存阵列的应用程序和操作系统软件提供instant-
上,迅速通过在系统内的软件更新执行就地和保护从废弃。居民
软件还可以延长系统的电池寿命,并通过减少磁盘驱动器的访问提高了可靠性。
用于高密度的数据采集应用, M28F008提供一个更具成本效益和可靠的替代
SRAM和电池。传统的高密度嵌入式应用中,例如电信,可以采取
优势M28F008的非易失性的,阻塞和最小的系统规范要求进行灵活的固件
和模块化的软件设计。
该M28F008在40引脚DIP sidebrazed和42引线扁平封装。该器件采用
集成命令的用户界面和状态机简化块擦除和字节写操作。该
M28F008内存映射由16个单独可擦写64千字节块。
该M28F008采用了先进的CMOS电路用于需要低功耗和噪音系统
免疫力。当有磁性存储介质相比,其100 ns访问时间提供卓越的性能。
深省电模式可降低功耗500
♣µW
最大通V
CC
。 RP的功率控制
输入还系统上电/关断期间提供了绝对的数据保护。
有关完整的罗切斯特订购指南,请参阅第2页
请联系工厂特定的软件包的可用性和
军事/航空航天规格/可用性。
罗彻斯特电子有限公司保证其半导体产品的性能达到了原来的OEM规格。 “典型”值供参考
只。一定的最小或最大额定值可根据产品的特性,设计,仿真,或样品测试。罗彻斯特电子有限公司储备
规范号28F008 -M ( I) REV -
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有权更改,恕不另行通知任何规格于此。
规格编号28F008 -M ( I) REV C
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