8XC196KC/8XC196KC20
工艺信息
该器件在PX29.5或PX29.9 ，一个制造
CHMOS III的过程。其他过程与reliabili-
TY信息可用
该
英特尔®品质
系统手册：
http://developer.intel.com/design/quality/quality.htm
表2. 8XC196KC存储器映射
描述
外部存储器或I / O
内部ROM / OTPROM或外部
内存（由EA决定）
版权所有。必须包含FFH 。
（注5 ）
PTS载体
上中断向量
ROM / OTPROM安全密钥
版权所有。必须包含FFH 。
（注5 ）
270942 – 43
地址
0FFFFH
06000H
5FFFH
2080H
207FH
205EH
205DH
2040H
203FH
2030H
202FH
2020H
201FH
201AH
2019H
2018H
2017H
2014H
2013H
2000H
1FFFH
1FFEH
1FFDH
0200H
01FFH
0018H
0017H
0000H
版权所有。必须包含20H 。
（注5 ）
建行
版权所有。必须包含FFH 。
（注5 ）
较低的中断向量
端口3，端口4
注意：
1. EPROM中可作为一次性可编程
（ OTPROM ）而已。
图3. 8XC196KC家族命名
表1.热特性
包
TYPE
PLCC
QFP
SQFP
θ
ja
35
°
C / W
55
°
C / W
待定
θ
jc
13
°
C / W
16
°
C / W
待定
外部存储器
488字节RAM寄存器（注1 ）
CPU SFR的（注1 ， 3 ， 4 ）
所有的热阻抗数据是近似的静态空气
在功耗1W的条件。值将发生变化
取决于操作条件和应用。看
英特尔
包装手册
（订单号240800 ）的
英特尔的热阻抗测试方法的说明。
注意事项：
在位置0000H到01FFH执行1.代码会
强制外。
2.保留的内存位置必须包含0FFH ，除非
指出。
3.保留SFR位的位置必须包含0 。
4.参考8XC196KC用户手册SFR描述。
5.
警告：
保留的内存地址不能为
写入或读出。的内容和/或这些某一地址的函数
阳离子可以改变与设备的未来版本。
因此，一个程序，它依赖于一个或一个以上的这些
地点可能无法正常工作。
3
ROCHESTER [ Rochester Electronics ]
