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X28HC256DM-90 参数 Datasheet PDF下载

X28HC256DM-90图片预览
型号: X28HC256DM-90
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内容描述: 低功耗CMOS EEPROM与高速页写能力256K EEPROM [LOW POWER CMOS EEPROM with hi-speed page write capability 256K EEPROM]
分类和应用: 内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 21 页 / 977 K
品牌: ROCHESTER [ Rochester Electronics ]
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X28HC256
引脚名称
符号
A
0
到A
14
I / O
0
到I / O
7
WE
CE
OE
V
CC
V
SS
NC
描述
地址输入
数据输入/输出
写使能
芯片使能
OUTPUT ENABLE
+5V
无连接
页写模式,可以在任何写启动
操作。在最初的字节写周期,主机可以
写另外1到127个字节
以同样的方式作为第一个字节被写入。每
连续的字节负载循环,由WE高电平变为低电平启动
过渡,必须的下降沿为100μs内开始
之前我们。如果后续WE由高到低的转变
为100μs内没有检测到时,内部自动
编程周期将开始。没有页写
窗口的限制。有效页写窗口
无限宽,只要主机继续访问
设备为100μs的字节负载周期时间内。
写操作状态位
该X28HC256为用户提供了两个写操作状态
位。这些可以被用来优化系统写周期
时间。状态位被映射到I / O总线,如图
在网络连接gure 1 。
I / O
DP
TB
5
4
3
2
1
0
设备操作
读操作是由两个OE和CE LOW启动。该
读操作是通过CE或OE返回终止
HIGH 。这种两线控制架构消除了总线
争用中的系统环境。的数据总线将在
高阻抗状态时,无论OE或CE为高电平。
版权所有
切换位
数据轮询
写操作启动的两个CE的时候,我们是
LOW和OE为高电平。该X28HC256支持在CE
而我们控制的写周期。即,地址被锁存
通过CE或WE的下降沿,以先到为准
最后。类似地,数据由上升沿内部锁存
任CE或WE ,以先到为准。字节写
操作时,一旦启动,就会自动继续
完成后,通常在3毫秒。
图1.状态位分配
数据轮询( I / O
7
)
该X28HC256特征的数据轮询的方法来指示
到主机系统,该字节写或页写周期具有
完成。数据轮询允许一个简单的测试位操作
确定X28HC256的状态。这消除
额外的中断输入或外部硬件。在
内部编程周期,任何尝试读取的最后一个字节
写会产生数据的补上的I / O
7
(即
写入数据= 0XXX XXXX ,读取数据= 1XXX XXXX) 。一旦
编程周期完成后, I / O
7
会反映真实的数据。
页写操作
该X28HC256的页写入功能,使整个
存储将要写入在通常0.8秒。页写
允许最多的数据成为128个字节
接续于X28HC256 ,先于写入
开始内部编程周期。主人
从另一设备的系统内的过程中可以读取数据
页写操作(改变源地址),但
网页地址(A
7
至A
14
) ,其后每有效
在此操作期间写周期的一部分必须是相同的
作为初始页面地址。
切换位( I / O
6
)
该X28HC256还提供了另一种方法为
当确定内部写周期完成。中
内部编程周期I / O
6
会从高切换到
LOW和低到高的后续尝试读
装置。当内部循环完成后触发将
停止,并且设备将是额外的读访问
操作和写操作。
5
FN8108.2
2007年5月7日