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X28HC256
256K ， 32K ×8位
数据表
2007年5月7日
FN8108.2
5V ，字节EEPROM可变
该X28HC256是第二代高性能
CMOS 32K ×8的EEPROM 。它是制作与Intersil的
专有的，纹理聚浮栅技术，提供
可靠性高的5V仅非易失性存储器。
该X28HC256支持128字节页写操作，
有效地提供了24μs /字节写周期，使
整个存储器被典型地重写在小于0.8的
秒。该X28HC256还提供数据查询和
切换位查询，提供提前结束的两种方法
写检测。该X28HC256还支持JEDEC
标准软件数据保护功能来保护
防止意外在上电和掉电写。
耐力为X28HC256被指定为最小
每字节百万的写入周期和固有的数据
保留100年。
特点
•存取时间： 70ns的
•简单的字节和页式写
- 单5V电源
- 无需外部高电压或V
P-P
控制电路
- 自定时
- 无擦除前写
- 无需复杂的编程算法
- 无overerase问题
•低功耗CMOS
- 活动： 60毫安
- 待机： 500μA
•软件数据保护
- 防止系统级的意外写入数据
•高速页写能力
•高度可靠的直写
™
CELL
- 耐久性：100万次
- 数据保存：100年
•写发现及早结束
- 数据查询
- 切换位投票
•无铅加退火有（符合RoHS ）
框图
X缓冲器
锁存器和
解码器
A
0
到A
14
地址
输入
ÿ缓冲器
锁存器和
解码器
I / O缓冲器
和锁存器
256kBIT
EEPROM
ARRAY
I / O
0
到I / O
7
CE
OE
WE
数据输入/输出
控制
逻辑与
定时
V
CC
V
SS
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
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