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2N4401 参数 Datasheet PDF下载

2N4401图片预览
型号: 2N4401
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内容描述: NPN型中功率晶体管 [NPN Medium Power Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 83 K
品牌: ROHM [ ROHM ]
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UMT4401 / SST4401 / MMST4401 / 2N4401
晶体管
NPN型中功率晶体管
(开关)
UMT4401 / SST4401 / MMST4401 / 2N4401
!
外形尺寸
(单位:毫米)
!特点
1 ) BV
首席执行官
>40V
(I
C
=1mA)
2 )补充了UMT4403 / SST4403 / MMST4403
/ PN4403 。
UMT4401
2.0±0.2
1.3±0.1
0.65 0.65
(1)
(2)
0.2
0.9±0.1
0.7±0.1
1.25
±
0.1
2.1
±
0.1
0
~
0.1
(3)
ROHM : UMT3
EIAJ : SC- 70
0.3+0.1
0.15±0.05
−0
所有端子都具有相同的
尺寸
2.9
±
0.2
1.9
±
0.2
0.95 0.95
(1)
(2)
!
包装,标志和包装规格
产品型号
包装类型
记号
CODE
基本订购单位(件)
UMT4401
UMT3
R2X
T106
3000
SST4401
SST3
R2X
T116
3000
MMST4401
SMT3
R2X
T146
3000
2N4401
TO-92
-
T93
3000
SST4401
0.95 +0.2
0.1
0.45
±
0.1
2.4±0.2
1.3+0.2
0.1
0
~
0.1
0.2Min.
(3)
所有端子都具有相同的
尺寸
+0.1
0.1~0.4
(1 )发光体
(2)相应的
( 3 )集电极
ROHM : SST3
0.4 +0.1
0.05
0.15
0.06
(1 )发光体
(2)相应的
( 3 )集电极
MMST4401
2.9
±
0.2
1.9
±
0.2
0.95 0.95
!
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
范围
60
40
6
0.6
0.2
W
0.625
150
-55~+150
˚C
˚C
(12.7Min.)
1.1+0.2
0.1
0.8
±
0.1
V
V
V
A
(3)
结温
储存温度
Tj
TSTG
0.5
±
0.1.
(1)
(2)
5
(3)
2.5Min.
2N4401
4.8
±
0.2
集电极电源
耗散
UMT4401
SST4401
MMST4401
ROHM : SMT3
EIAJ : SC- 59
0.4 +0.1
0.05
4.8
±
0.2
0.15
0.06
P
C
2N4401
3.7
±
0.2
0.3
~
0.6
所有端子都具有相同的
+0.1
尺寸
1.6+0.2
0.1
2.8±0.2
单位
(1)
(2)
0~0.1
(1 )发光体
(2)相应的
( 3 )集电极
ROHM : TO- 92
EIAJ : SC- 43
+0.3
2.5
0.1
0.45
±
0.1
2.3
(1 )发光体
(2)相应的
( 3 )集电极
!
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
分钟。
60
40
6
-
-
-
-
-
-
20
40
直流电流传输比
h
FE
80
100
跃迁频率
集电极输出电容
发射极输入电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
COB
兴业银行
td
tr
TSTG
tf
40
250
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
0.1
0.1
0.4
0.75
0.95
1.2
-
-
-
300
-
-
6.5
30
15
20
225
30
兆赫
pF
pF
ns
ns
ns
ns
-
单位
V
V
V
µA
µA
V
V
I
C
=100µA
I
C
=1mA
I
E
=100µA
V
CB
=35V
V
EB
=5V
I
C
/I
B
=150mA/15mA
I
C
/I
B
=500mA/50mA
I
C
/I
B
=150mA/15mA
I
C
/I
B
=500mA/50mA
V
CE
=1V,
I
C
=0.1mA
V
CE
=1V,
I
C
=1mA
V
CE
=1V,
I
C
=10mA
V
CE
=1V,
I
C
=150mA
V
CE
=2V,
I
C
=500mA
V
CE
=10V,
I
E
=-20mA,
f=100MHz
V
CB
=10V,
f=100kHz
V
EB
=0.5V,
f=100kHz
V
CC
=30V,
V
EB (O FF )
=2V,
I
C
=150mA,
I
B1
=15mA
V
CC
=30V,
V
EB (O FF )
=2V,
I
C
=150mA,
I
B1
=15mA
V
CC
=30V,
I
C
=150mA,
I
B1
=-I
B2
=15mA
V
CC
=30V,
I
C
=150mA,
I
B1
=-I
B2
=15mA
条件