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2SB1188 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SB1188
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内容描述: 中等功率晶体管( -32V , -2A ) [Medium power transistor (-32V, -2A)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 175 K
品牌: ROHM [ ROHM ]
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中等功率晶体管( 32V ,
2A)
2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240
■特点
1 )低V
CE ( SAT )
.
V
CE ( SAT )
=
0.5V
(典型值)。
(I
C
/I
B
=
2A
/
0.2A)
2 )补充了2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862 。
♦尺寸
(单位:毫米)
2SB1188
0.5±0.1
4.5
+0.2
−0.1
1.6±0.1
2SB1182
1.5
±
0.3
6.5
±
0.2
5.1
+0.2
0.1
2.3
+0.2
0.1
0.5
±
0.1
1.5
+
0.2
−0.1
C0.5
5.5
+0.3
−0.1
4.0±0.3
2.5
+
0.2
−0.1
Structure
外延平面型
PNP硅晶体管
(1)
(2)
(3)
0.4±0.1
1.5±0.1
1.0±0.2
0.4
+
0.1
−0.05
0.75
0.9
0.65
±
0.1
0.4±0.1
1.5±0.1
0.5±0.1
3.0±0.2
0.55
±
0.1
2.3
±
0.2 2.3
±
0.2
1.0
±
0.2
ROHM : MPT3
EIAJ :SC- 62
( 1 )基本
( 2 )集电极
(3)发射极
(1) (2) (3)
ROHM : CPT3
EIAJ : SC- 63
( 1 )基本
( 2 )集电极
(3)发射极
缩写符号:BC
2.5
±
0.2
2SB1240
6.8
±
0.2
0.65Max.
1.0
0.5
±
0.1
(1)
(2)
(3)
2.54 2.54
1.05
14.5
±
0.5
4.4
±
0.2
0.9
0.45
±
0.1
ROHM :
亚视
(1 )发光体
( 2 )集电极
(3 )基
指H
“绝对
最大额定值
(Ta=25C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
范围
−40
−32
−5
−2
−3
0.5
P
C
2SB1182
2SB1240
结温
储存温度
Tj
TSTG
2
10
1
150
−55
150
单位
V
V
V
FE
A( DC )
A(脉冲)
1
W
W
2SB1188
集电极电源
耗散
2
3
W( =锝25
°C
)
W
°C
°C
1
2
3
单脉冲, PW = 100毫秒
当安装在一个40
×
40
×
0.7毫米陶瓷板。
印刷电路板, 1.7毫米厚,收藏家镀铜100毫米
2
或更大。
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c
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1/3
2009.12 - Rev.B的
2.5
9.5
±
0.5
0.9
1.5