功率晶体管（ -80V ，
−1A)
2SB1260 / 2SB1181
■特点
1）海特击穿电压和高电流。
BV
首席执行官
=
−80V,
I
C
=
−1A
2 ）良好的ħ
FE
linearty 。
3 ）低V
CE （ SAT ）
.
4 ）补充了2SD1898 / 2SD1733 。
♦尺寸
（单位：毫米）
2SB1260
4.5
+0.2
1.6±0.1
1.5±
2SB1181
1.5
±
0.3
6.5
±
0.2
5.1
+
0.2
C0.5
2.3
+
0.2
0.5
±
0.1
0.5±0.1
5.5
+
0.3
4.0
±0.3
2.5
+0.2
0.75
(1)
(2)
(3)
0.4±0.1
1.5±0.1
0.4
+0.1
0.65
±
0.1
0.9
1.0±0.2
0.55
±
0.1
2.3
±
0.2
2.3
±
0.2
1.0
±
0.2
Structure
外延平面型
PNP硅晶体管
0.4±0.1
1.5±0.1
0.5±0.1
3.0±0.2
(1) (2) (3)
ROHM ： MPT3
EIAJ ：SC- 62
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
ROHM ： CPT3
EIAJ ： SC- 63
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
“绝对
最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
2SB1260
集电极电源
耗散
2SB1181
2SB1181
结温
储存温度
Tj
TSTG
P
C
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
范围
−80
−80
−5
−1
−2
0.5
2
1
10
150
−55
+150
W（ =锝25
°C
)
∗2
∗1
单位
V
V
V
A（ DC ）
A（脉冲）
W
°C
°C
∗
1
∗
2
2SB1260 ： PW = 20ms的占空比= 1 /
2SB1260 ：当安装在一个40
×
40
×
0.7毫米陶瓷板。
ⅵELECTRICAL
特征
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率2SB1181
输出电容
2SB1260
2SB1181
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
−80
−80
−5
−
−
−
120
−
−
−
典型值。
−
−
−
−
−
−
−
100
20
25
马克斯。
−
−
−
−1
−1
−0.4
390
−
−
−
单位
V
V
V
I
C
= −50μ
A
I
C
= -1mA
I
E
= −50μ
A
V
CB
= −60V
V
EB
= −4V
I
C
/I
B
= -500mA / -50mA
V
CE
= −3V,
I
C
= −0.1A
V
CE
= −10V,
I
E
=50mA,
f=100MHz
V
CB
= −10V
I
E
=0A
f=1MHz
条件
μ
A
μ
A
V
−
兆赫
pF
pF
www.rohm.com
c
○
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1/2
2012.01 - Rev.G
2.5
9.5
±
0.5
0.9
1.5
ROHM [ ROHM ]
