2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326
晶体管
低频晶体管（ -20V ，
−5A)
2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326
特点
1 ）低V
CE （ SAT ）
.
V
CE （ SAT ）
=
−0.35V
（典型值）。
(I
C
/I
B
=
−4A
/
−0.1A)
2 ）出色的直流电流增益特性。
3 ）补充了2SD2098 / 2SD2118 /
2SD2097.
外形尺寸
（单位：毫米）
2SB1386
0.5±0.1
4.5
+0.2
−
0.1
1.6±0.1
1.5
+0.2
−
0.1
2SB1412
1.5
±
0.3
6.5
±
0.2
5.1
+
0.2
−0.1
C0.5
2.3
+
0.2
−0.1
0.5
±
0.1
5.5
+
0.3
−0.1
(1)
(2)
(3)
0.4±0.1
1.5±0.1
1.0±0.2
0.4
+0.1
−
0.05
0.75
0.9
0.65
±
0.1
0.4±0.1
1.5±0.1
0.5±0.1
3.0±0.2
0.55
±
0.1
2.3
±
0.2
2.3
±
0.2
1.0
±
0.2
结构
外延平面型
PNP硅晶体管
ROHM ： MPT3
EIAJ ：SC- 62
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
(1) (2) (3)
缩写符号： BH
∗
2.5±0.2
ROHM ： CPT3
EIAJ ： SC- 63
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
2SB1326
6.8±0.2
0.65Max.
1.0
0.5±0.1
(1)
(2)
(3)
2.54 2.54
1.05
0.45±0.1
ROHM ：
亚视
∗
指H
FE
14.5±0.5
4.4±0.2
0.9
（1 ）发光体
（ 2 ）集电极
（3 ）基
Rev.A的
2.5
1/4
9.5
±
0.5
4.0
±0.3
2.5
+0.2
−
0.1
0.9
1.5
ROHM [ ROHM ]
