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型号: 2SC4672
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内容描述: 低频晶体管( 50V , 2A ) [Low Frequency Transistor (50V, 2A)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 59 K
品牌: ROHM [ ROHM ]
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2SC4672
晶体管
低频晶体管( 50V , 3A )
2SC4672
特点
1 )低饱和电压,通常V
CE (SAT)
=我在0.1V
C
/I
B
= 1A / 50毫安。
2 )出色的直流电流增益特性。
3 )补充了2SA1797 。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
∗1
单脉冲, PW = 10毫秒
∗2
40
×
40
×
t
0.7毫米陶瓷板
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
60
50
6
3
6
0.5
2
150
−55
to
+150
单位
V
V
V
A( DC )
A(脉冲)
∗1
∗2
W
°C
°C
包装规格和h
FE
TYPE
h
FE
记号
2SC4672
MPT3
PQ
DK
CODE
基本订购单位(件)
指H
FE
T100
1000
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
1
h
FE
2
f
T
COB
分钟。
60
50
6
82
45
典型值。
0.13
210
25
马克斯。
0.1
0.1
0.35
270
单位
V
V
V
µA
µA
V
兆赫
pF
I
C
=50µA
I
C
=1mA
I
E
=50µA
V
CB
=60V
V
EB
=5V
I
C
/I
B
=1A/50mA
V
CE
=2V,
I
C
=0.5A
V
CE
=2V,
I
C
=1.5A
V
CE
=2V,
I
E
=−0.5A,
f=100MHz
条件
V
CB
=10V,
I
E
=0A,
f=1MHz
*实测
利用脉冲电流。
Rev.A的
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