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2SD1766 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SD1766
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内容描述: 中等功率晶体管( 32V , 2A ) [Medium power transistor (32V, 2A)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 171 K
品牌: ROHM [ ROHM ]
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中等功率晶体管( 32V , 2A )
2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862
■特点
1 )低V
CE ( SAT )
.
V
CE ( SAT )
= 0.5V (典型值)。
(I
C
/I
B
= 2A / 0.2A)
2 )补充了2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240
Structure
外延平面型硅NPN晶体管
♦尺寸
(单位:毫米)
2SD1766
0.5
±
0.1
4.5
+
0.2
0.1
1.6
±
0.1
1.5
+
0.2
0.1
2SD1758
1.5±0.3
6.5±0.2
5.1
+0.2
−0.1
C0.5
2.3
+0.2
−0.1
0.5±0.1
4.0
±
0.3
2.5
+
0.2
0.1
5.5
+0.3
−0.1
1.0
±
0.2
0.4
+
0.1
0.05
0.4
±
0.1
1.5
±
0.1
0.75
0.9
2.3±0.2
0.65±0.1
0.4
±
0.1
1.5
±
0.1
0.5
±
0.1
3.0
±
0.2
2.3±0.2
0.55±0.1
1.0±0.2
缩写符号: DB *
ROHM : MPT3
EIAJ :SC- 62
( 1 )基本
( 2 )集电极
(3)发射极
(1) (2) (3)
ROHM : CPT3
EIAJ : SC- 63
( 1 )基本
( 2 )集电极
(3)发射极
2SD1862
6.8
±
0.2
2.5
±
0.2
0.65Max.
1.0
0.5
±
0.1
(1)
(2)
(3)
2.54 2.54
1.05
14.5
±
0.5
4.4
±
0.2
0.9
0.45
±
0.1
ROHM : ATV
(1 )发光体
( 2 )集电极
(3 )基
指H
FE
“绝对
最大额定值
(Ta=25C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
2SD1766
2SD1758
2SD1862
结温
储存温度
Tj
TSTG
P
C
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
范围
40
32
5
2
2.5
∗1
0.5
2
∗2
10
1
∗3
150
−55~+150
单位
V
V
V
A( DC )
A(脉冲)
W
值w(t
C
=25°C)
W
°C
°C
集热器
动力
耗散
∗1
单脉冲,P
W
=20ms
∗2
当安装在一个40×40 ×0.7mm厚的陶瓷板。
∗3
印刷电路板1.7毫米厚,收藏家镀铜1厘米
2
或啤酒。
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c
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1/3
2009.12 - Rev.B的
2.5
(1)
(2)
(3)
9.5±0.5
0.9
1.5