2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862
晶体管
中等功率晶体管( 32V , 2A )
2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862
特点
1 )低V
CE ( SAT )
.
V
CE ( SAT )
= 0.5V (典型值)。
(I
C
/ I
B
= 2A / 0.2A)
2 )补充了2SB1188 / 2SB1182 /
2SB1240.
外形尺寸
(单位:毫米)
2SD1766
0.5±0.1
4.5
+0.2
−0.1
1.6±0.1
1.5
+0.2
−0.1
2SD1758
1.5
±
0.3
6.5
±
0.2
5.1
+
0.2
−
0.1
C0.5
2.3
+
0.2
−
0.1
0.5
±
0.1
4.0±0.3
2.5
+0.2
−0.1
5.5
+
0.3
−
0.1
1.0±0.2
0.4
+0.1
−0.05
0.4±0.1
1.5±0.1
0.75
0.9
2.3
±
0.2
0.65
±
0.1
0.4±0.1
1.5±0.1
0.5±0.1
3.0±0.2
2.3
±
0.2
0.55
±
0.1
1.0
±
0.2
缩写符号: DB
∗
(1) (2) (3)
结构
外延平面型
NPN硅晶体管
ROHM : MPT3
EIAJ :SC- 62
( 1 )基本
( 2 )集电极
(3)发射极
ROHM : CPT3
EIAJ : SC- 63
( 1 )基本
( 2 )集电极
(3)发射极
2SD1862
6.8
±
0.2
2.5
±
0.2
0.65Max.
1.0
0.5
±
0.1
(1)
(2)
(3)
2.54 2.54
1.05
14.5
±
0.5
4.4
±
0.2
0.9
0.45
±
0.1
ROHM : ATV
(1 )发光体
( 2 )集电极
(3 )基
∗
指H
FE
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
集热器
动力
耗散
范围
40
32
5
2
2.5
0.5
2
P
C
1
10
1
150
−55
to
+150
单位
V
V
V
A( DC )
A(脉冲)
∗
1
2SD1766
2SD1758
2SD1862
∗
2
∗
3
W
W
W( =锝25
°C
)
W
°C
°C
结温
储存温度
Tj
TSTG
∗
1单脉冲, PW = 20毫秒
∗
2当安装在一个40×40 ×0.7mm厚的陶瓷板。
∗
3印刷电路板1.7毫米厚,收藏家镀铜1厘米
2
或啤酒。
Rev.A的
2.5
(1)
(2)
(3)
9.5
±
0.5
0.9
1.5
1/3