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型号: 2SD1834
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内容描述: 中等功率晶体管( 60V , 1A ) [Medium Power Transistor (60V, 1A)]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 131 K
品牌: ROHM [ ROHM ]
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中等功率晶体管( 60V , 1A )
2SD1834
■特点
1 )高直流电流增益达林顿连接
(典型地,直流电流增益= 15000在V
CE
= 3V ,我
C
= 0.5A)
2)高输入阻抗。
♦尺寸
(单位:毫米)
MPT3
4.5
1.6
0.5
1.5
Inner
电路
C
(1)Base
(2)Collector
(1)
(2)
(3)
1.0
2.5
4.0
0.4
0.4
1.5
0.5
1.5
3.0
0.4
B
(3)Emitter
B:基本
C:收藏家
E:发射器
E
“绝对
最大额定值
(Ta=25C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
60
60
7
1
2
0.5
2
150
单位
V
V
V
A( DC )
A(脉冲)
∗2
∗1
∗3
W
−55
to
+150
°C
°C
1
单脉冲Pw = 100毫秒
2
R
BE
=0Ω
3
安装在一个40
×
40
×
t
0.7毫米陶瓷基板
ⅵELECTRICAL
特征
(Ta=25C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
f
T
COB
分钟。
60
60
7
2000
典型值。
0.9
150
7
马克斯。
1
1
1.5
单位
V
V
V
μA
μA
V
兆赫
pF
条件
I
C
=50μA
I
C
=100μA
, R
BE
=0Ω
I
E
=50μA
V
CB
=60V
V
EB
=6V
V
CE
/I
C
=3V/500mA
I
C
/I
B
=500mA/500μA
V
CE
=5V
, I
E
= -10mA
中,f = 100MHz的
V
CE
=10V
, I
E
=0A
, F = 1MHz的
利用脉冲电流测量。
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c
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2010.02 - Rev.B的