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    2SK3065 参数 Datasheet PDF下载

    2SK3065图片预览
    型号： 2SK3065
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 小开关（ 60V ， 2A ） [Small switching (60V, 2A)]
    分类和应用： 晶体开关晶体管功率场效应晶体管
    文件页数/大小： 4 页 / 87 K
    品牌： ROHM [ ROHM ]
     浏览型号2SK3065的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK3065的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK3065的Datasheet PDF文件第4页  
    2SK3065
    晶体管
    小开关（ 60V ， 2A ）
    2SK3065
    ！特点
    1 ）低导通电阻。
    2 ）高速开关。
    3）最佳的口袋里的资源，因为对等
    低电压驱动（ 2.5V驱动） 。
    4 ）驱动电路是容易的。
    5 ）易于使用的并行。
    6 ）它是强的静电放电。
    ！结构
    硅N沟道
    MOS FET晶体管
    ！外部
    尺寸
    （单位：毫米）
    4.5
    +0.2
    −0.1
    1.6±0.1
    1.5±0.1
    4.0
    +0.5
    −0.3
    2.5
    +0.2
    −0.1
    0.5±0.1
    (1)
    (2)
    (3)
    0.4±0.1
    1.5±0.1
    1.0±0.3
    0.4
    +0.1
    −0.05
    0.4±0.1
    1.5±0.1
    0.5±0.1
    3.0±0.2
    ROHM ： MPT3
    E I第j ： SC- 62
    缩写符号： KE
    （ 1 ）门
    （ 2 ）排水
    （ 3 ）资料来源
    ！绝对
    最大额定值
    （ TA = 25°C ）
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    连续
    漏电流
    反向漏
    当前
    脉冲
    连续
    脉冲
    符号
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    D
    I
    DP
    I
    DR
    I
    DRP
    P
    D
    总胆固醇
    TSTG
    ∗
    1
    ∗
    1
    ！内部
    等效电路
    单位
    V
    V
    A
    A
    A
    A
    W
    °C
    °C
    -GATE
    保护
    二极管
    来源
    门
    漏
    范围
    60
    ±20
    2
    8
    2
    8
    0.5
    2
    ∗
    2
    150
    −55∼+150
    总功率耗散（TC = 25℃）
    通道温度
    储存温度
    ∗1
    Pw
    ≤
    为10μs ，占空比
    ≤
    1%
    ∗2
    当安装在一个40
    ×
    40
    ×
    0.7毫米氧化铝板。
    ∗
    保护二极管已建成的
    栅极和防止静电的来源
    电时，该产品在使用中。
    使用保护电路，当额定电压
    超标。
    ！电
    特征
    （ TA = 25°C ）
    参数
    栅源漏
    漏源击穿电压
    零栅极电压漏极电流
    栅极阈值电压
    静态漏源导通状态
    阻力
    正向转移导纳
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    符号
    I
    GSS
    V
    （ BR ） DSS
    I
    DSS
    V
    GS （ TH）
    R
    DS （ ON）
    R
    DS （ ON）
    Y
    fs
    ∗
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    分钟。
    −
    60
    −
    0.8
    −
    −
    1.5
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    典型值。
    −
    −
    −
    −
    0.25
    0.35
    −
    160
    85
    25
    20
    50
    120
    70
    马克斯。
    ±10
    −
    10
    1.5
    0.32
    0.45
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    单位
    µA
    V
    µA
    V
    Ω
    Ω
    S
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    ns
    ns
    测试条件
    V
    GS
    =
    ±20V,
    V
    DS
    =
    0V
    I
    D
    =
    1mA时， V
    GS
    =
    0V
    V
    DS
    =
    60V, V
    GS
    =
    0V
    V
    DS
    =
    10V ，我
    D
    =
    1mA
    I
    D
    =
    1A ，V
    GS
    =
    4V
    I
    D
    =
    1A ，V
    GS
    =
    2.5V
    I
    D
    =
    1A ，V
    DS
    =
    10V
    V
    DS
    =
    10V
    V
    GS
    =
    0V
    f
    =
    1MHz
    I
    D
    =
    1A ，V
    DD
    V
    GS
    =
    4V
    R
    L
    =
    30Ω
    R
    G
    =
    10Ω
    30V
    ∗
    Pw
    ≤
    300μS ，占空比
    ≤
    1%

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