晶体管
EMW2 / EMX2 / EMX3 / UMW2N / UMX2N /
UMX3N
/
FMW2 / IMX2 / IMX3
通用（双晶体管）
EMW2 / EMX2 / EMX3 / UMW2N / UMX2N /
UMX3N / FMW2 / IMX2 / IMX3
特点
1 ）两个2SC2412AK芯片在EMT或UMT或SMT封装。
等效电路
EMW2 / UMW2N
(3)
(2)
(1)
FMW2
(3)
(4)
(5)
EMX2 / UMX2N
(3)
(2)
(1)
IMX2
(4)
(5)
(6)
EMX3 / UMX3N
(3)
(2)
(1)
IMX3
(4)
(5)
(6)
(4)
(5)
(2)
(1)
(4) (5)
(6)
(3) (2)
(1)
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
(1)
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电源
耗散
EMW2 / EMX2 / EMX3 / UMW2N / UMX2N / UMX3N
FMW2 / IMX2 / IMX3
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
60
50
7
150
150(TOTAL)
300(TOTAL)
150
−55
~
+150
单位
V
V
V
mA
mW
∗1
∗2
结温
储存温度
∗1
每个元素120MW不得超过。
∗2
每个元素为200mW不得超过。
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
*转换
频设备。
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
60
50
7
−
−
−
120
−
−
典型值。
−
−
−
−
−
−
−
180
2
马克斯。
−
−
−
0.1
0.1
0.4
560
−
3.5
单位
V
V
V
µA
µA
V
−
兆赫
pF
I
C
=50µA
I
C
=1mA
I
E
=50µA
V
CB
=60V
V
EB
=7V
条件
I
C
/I
B
=50mA/5mA
V
CE
=6V,
I
C
=1mA
V
CE
=12V,
I
E
=−2mA,
f=100MHz
V
CB
=12V,
I
E
=0mA,
f=1kHz
∗
包装，标志和包装规格
TYPE
包
记号
CODE
基本订购单位（件）
EMW2
EMT5
W2
T2R
8000
EMX2
EMT6
X2
T2R
8000
EMX3
EMT6
X3
T2R
8000
UMW2N
UMT5
W2
TR
3000
UMX2N
UMT6
X2
TR
3000
UMX3N
UMT6
X3
TR
3000
FMW2
SMT5
W2
T148
3000
IMX2
SMT6
X2
T108
3000
IMX3
SMT6
X3
T108
3000
ROHM [ ROHM ]
