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R5007ANJ 参数 Datasheet PDF下载

R5007ANJ图片预览
型号: R5007ANJ
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内容描述: 10V驱动N沟道MOSFET [10V Drive Nch MOSFET]
分类和应用: 驱动
文件页数/大小: 4 页 / 166 K
品牌: ROHM [ ROHM ]
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R5007ANJ
晶体管
电气特性
(Ta=25°C)
参数
栅源漏
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
脉冲
符号
I
GSS
V
( BR ) DSS
I
DSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
| Y
fs
|
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
分钟。
500
2.5
2.5
典型值。
0.8
500
300
23
20
22
50
25
13
3.5
5.5
马克斯。
±100
100
4.5
1.05
单位
nA
V
µA
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=±30V,
V
DS
=0V
I
D
=1mA,
V
GS
=0V
V
DS
=500V,
V
GS
=0V
V
DS
=10V,
I
D
=1mA
I
D
=3.5A,
V
GS
=10V
I
D
=3.5A,
V
DS
=10V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
=3.5A,
V
DD
250V
V
GS
=10V
R
L
=71.4Ω
R
G
=10Ω
V
DD
250V
I
D
=7A
V
GS
=10V
R
L
=35.7Ω
/ R
G
=10Ω
体二极管的特性
(源极 - 漏极) ( TA = 25 ° C)
参数
正向电压
脉冲
符号
V
SD
分钟。
典型值。
马克斯。
1.5
单位
V
条件
I
S
= 7A ,V
GS
=0V
2/3