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R5007ANJ 参数 Datasheet PDF下载

R5007ANJ图片预览
型号: R5007ANJ
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内容描述: 10V驱动N沟道MOSFET [10V Drive Nch MOSFET]
分类和应用: 驱动
文件页数/大小: 6 页 / 269 K
品牌: ROHM [ ROHM ]
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R5007ANJ
电气特性曲线
100
操作在此
面积有限
由R
DS ( ON)
P
W
=100us
P
W
=1ms
漏电流:我
D
(A)
8
6
4
5.0V
2
V
GS
= 4.5V
0
0.1
1
10
100
1000
0
10
20
30
40
50
漏源电压: V
DS
(V)
图2典型的输出特性( Ⅱ )
0
0
1
2
3
10
7.0V
8.0V
10V
TA = 25℃
脉冲
漏电流:我
D
(A)
数据表
5
4
3
2
1
V
GS
= 4.5V
4
5
6.0V
5.0V
TA = 25℃
脉冲
8.0V
7.0V
6.5V
5.5V
10V
漏电流:我
D
(A)
10
6.5V
6.0V
5.5V
1
直流操作
0.1
TA = 25°C
单脉冲
0.01
漏源电压: V
DS
( V )
图1最大安全工作区
漏源电压: V
DS
(V)
图3典型的输出特性( Ⅱ )
栅极阈值电压: V
GS ( TH)
(V)
漏电流:我
D
(A)
10
1
0.1
0.01
V
DS
= 10V
脉冲
TA = 125℃
TA = 75℃
TA = 25℃
TA = -25˚C
5
4
3
2
1
0
-50
V
DS
= 10V
I
D
= 1毫安
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS ( ON)
(Ω)
100
6
10
V
GS
= 10V
脉冲
1
TA 〜
TA 〜
TA 〜
TA 〜
0.1
0.1
1
10
125°C
75°C
25°C
-25°C
100
0.001
0.0
1.5
3.0
4.5
6.0
0
50
100
150
栅源电压: V
GS
(V)
图4典型的传输特性
通道温度:T已
ch
(°C)
图5栅极阈值电压
与通道温度
漏电流:我
D
(A)
图6静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS ( ON)
(Ω)
3
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS ( ON)
(Ω)
2.5
2
1.5
1
I
D
= 3.5A
0.5
0
0
5
10
15
I
D
= 7.0A
Ta=25°C
脉冲
3
正向转移导纳:
| YFS | ( S)
2.5
2
1.5
1
0.5
0
-50
I
D
= 7A
V
GS
= 10V
脉冲
100
V
DS
= 10V
脉冲
10
1
TA = -25˚C
TA = 25℃
TA = 75℃
TA = 125℃
I
D
= 3.5A
0.1
0
50
100
150
0.01
0.01
0.1
1
10
100
栅源电压: V
GS
(V)
图7静态漏源导通状态
电阻与栅源电压
通道温度:T已
ch
(°C)
图8静态漏源导通状态
电阻与通道温度
漏电流:我
D
(A)
图9正向转移导纳
与漏电流
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