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    R5007ANJ 参数 Datasheet PDF下载

    R5007ANJ图片预览
    型号： R5007ANJ
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 10V驱动N沟道MOSFET [10V Drive Nch MOSFET]
    分类和应用： 驱动
    文件页数/大小： 6 页 / 269 K
    品牌： ROHM [ ROHM ]
     浏览型号R5007ANJ的Datasheet PDF文件第1页浏览型号R5007ANJ的Datasheet PDF文件第2页浏览型号R5007ANJ的Datasheet PDF文件第3页浏览型号R5007ANJ的Datasheet PDF文件第5页浏览型号R5007ANJ的Datasheet PDF文件第6页  
    R5007ANJ
    反向漏电流：我
    DR
    (A)
    100
    V
    GS
    = 0V
    脉冲
    电容：C （PF ）
    10
    1000
    C
    国际空间站
    10000
    栅源电压： V
    GS
    (V)
    15
    TA = 25℃
    V
    DD
    = 250V
    I
    D
    = 7A
    R
    G
    = 10Ω
    脉冲
    数据表
    10
    1
    TA = 125℃
    TA = 75℃
    TA = 25℃
    TA = -25˚C
    100
    C
    RSS
    C
    OSS
    5
    0.1
    10
    TA = 25℃
    F = 1MHz的
    V
    GS
    = 0V
    0.1
    1
    10
    100
    1000
    0.01
    0
    0.5
    1
    1.5
    1
    0
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    漏源电压： V
    DS
    (V)
    图11典型的电容与
    漏源电压
    总栅极电荷：Q
    g
    （ NC ）
    图12动态输入特性
    源极 - 漏极电压： V
    SD
    (V)
    图10反向漏电流随
    水稻源极 - 漏极电压
    反向恢复时间：吨
    rr
    （纳秒）
    1000
    10000
    切换时间： T（ NS ）
    1000
    t
    D（关闭）
    t
    f
    TA = 25℃
    V
    DD
    = 250V
    V
    GS
    = 10V
    R
    G
    = 10Ω
    脉冲
    100
    TA = 25℃
    的di / dt = 100A / μs的
    V
    GS
    = 0V
    脉冲
    10
    0.1
    1
    10
    100
    100
    10
    t
    r
    1
    0.01
    0.1
    1
    10
    100
    t
    D（上）
    反向漏电流：我
    DR
    (A)
    图13反向恢复时间
    vs.Reverse漏电流
    漏电流：我
    D
    (A)
    图14开关特性
    NORMARIZED瞬态热
    电阻： R（T ）
    10
    1
    0.1
    0.01
    0.001
    0.0001
    0.0001
    TA = 25°C
    单脉冲： 1台
    第r （ CH-A ）（ t）的=
    �½�（t）×Rth（ch-a）
    RTH （ CH- A）= 54.3 ° C / W
    0.001
    0.01
    0.1
    1
    10
    100
    1000
    脉冲宽度： Pw的（ S）
    图15归瞬态热电阻与脉冲宽度
    www.rohm.com
    c
    ○
    2009年ROHM有限公司保留所有权利。
    4/5
    2009.02 - Rev.A的

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