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RSH070P05TB1 参数 Datasheet PDF下载

RSH070P05TB1图片预览
型号: RSH070P05TB1
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内容描述: 4V驱动P沟道MOSFET [4V Drive Pch MOSFET]
分类和应用: 驱动
文件页数/大小: 5 页 / 145 K
品牌: ROHM [ ROHM ]
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RSH070P05
ⅵELECTRICAL
特性曲线
10
VDS = -10V
脉冲
数据表
1000
静态漏源导通状态
电阻R
DS
(上) [毫欧]
V
GS
= -10V
脉冲
Ta=125
o
C
75
o
C
25
o
C
-25
o
C
1000
静态漏源导通状态
电阻R
DS
(上) [毫欧]
V
GS
= -4.5V
脉冲
Ta=125
o
C
75
o
C
25
o
C
-25
o
C
漏Currnt : -ID [ A]
1
Ta=125
o
C
   75
o
C
   25
o
C
  -25
o
C
100
100
0.1
10
10
0.01
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
1
0.01
1
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
漏电流: -I
D
[A]
漏电流: -I
D
[A]
栅源电压: -V
GS
[V]
图1典型的传输特性
图2静态漏源导通状态
电阻与漏电流( 1 )
图3静态漏源导通状态
电阻与漏电流( 2 )
1000
静态漏源导通状态
电阻R
DS
(上) [毫欧]
静态漏源导通状态
电阻R
DS
(上) [毫欧]
V
GS
= -4V
脉冲
Ta=125
o
C
75
o
C
25
o
C
-25
o
C
200
Ta=25
o
C
脉冲
源电流: -Is [ A]
10
V
GS
=0V
脉冲
Ta=125
o
C
75
o
C
25
o
C
-25
o
C
150
100
1
100
I
D
= -7.0A
10
0.1
50
I
D
= -3.5A
1
0.01
0
0.1
1
10
0
5
10
15
漏电流: -I
D
[A]
栅源电压: -V
GS
[V]
0.01
0.0
0.5
1.0
1.5
源极 - 漏极电压: -V
SD
[V]
图4静态漏源导通状态
电阻与漏电流( 3 )
图5静态漏源
通态电阻VS.
栅源电压
图6源电流 -
源 - 漏电压
10000
10000
栅源电压: -V
GS
[V]
Ta=25
o
C
V
DD
= -25V
V
GS
= -10V
R
G
=10
脉冲
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
Ta=25
o
C
V
DD
= -25V
I
D
= -7.0A
R
G
=10
脉冲
西塞
电容: C [ pF的]
1000
科斯
切换时间: T [ NS ]
1000
TD (关闭)
TD (上)
tf
100
100
TA = 25℃
f=1MHz
V
GS
=0V
o
CRSS
10
tr
10
0.1
1
10
100
漏源电压: -V
DS
[V]
1
0.01
0.1
1
10
漏电流: -I
D
[A]
0
10
20
30
40
50
60
70
总栅极电荷:的Qg [ NC ]
图7典型的电容与
源 - 漏电压
图8的开关特性
图9动态输入特性
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