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SST2222A 参数 Datasheet PDF下载

SST2222A图片预览
型号: SST2222A
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内容描述: NPN中等功率晶体管(开关) [NPN Medium Power Transistor (Switching)]
分类和应用: 晶体开关小信号双极晶体管光电二极管
文件页数/大小: 3 页 / 82 K
品牌: ROHM [ ROHM ]
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UMT2222A / SST2222A / MMST2222A / PN2222A
晶体管
NPN中等功率晶体管(开关)
UMT2222A / SST2222A / MMST2222A / PN2222A
!特点
1 ) BV
首席执行官
& GT ;
40V (我
C
=10mA)
2 )补充了UMT2907A / SST2907A
/ MMST2907A / PN2907A 。
!外部
尺寸
(单位:毫米)
UMT2222A
2.0±0.2
1.3±0.1
0.65 0.65
(1)
(2)
0.2
0.9±0.1
0.7±0.1
1.25
±
0.1
2.1
±
0.1
0
0.1
(3)
ROHM : UMT3
EIAJ : SC- 70
0.3
+
0.1
0.15±0.05
−0
所有的终端都有相同的尺寸
2.9±0.2
1.9±0.2
0.95 0.95
(1)
(2)
(1 )发光体
(2)相应的
( 3 )集电极
!包,
标记和包装规格
产品型号
包装类型
记号
CODE
基本订购单位
(件)
UMT2222A
UMT3
R1P
T106
3000
SST2222A MMST2222A
SST3
R1P
T116
3000
SMT3
R1P
T146
3000
PN2222A
TO-92
T93
3000
SST2222A
0.95
+
0.2
−0.1
0.45±0.1
2.4
±
0.2
1.3
+
0.2
0.1
0
0.1
0.2Min.
0.1
0.4
(3)
0.4
+
0.1
−0.05
所有的终端都有相同的尺寸
2.9±0.2
1.9±0.2
0.95 0.95
(1)
(2)
1.1
+
0.2
−0.1
0.8±0.1
ROHM : SST3
+
0.1
0.15
−0.06
(1 )发光体
(2)相应的
( 3 )集电极
MMST2222A
!绝对
最大额定值
( TA = 25°C )
(3)
1.6
+
0.2
0.1
2.8
±
0.2
0
0.1
结温
储存温度
当安装在一个7 ×5× 0.6毫米陶瓷板
Tj
TSTG
0.35
0.625
150
−55 ∼ +150
W
W
°C
°C
(12.7Min.)
UMT2222A,SST2222A,
MMST2222A
集电极电源
SST2222A
耗散
PN2222A
4.8
±
0.2
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
75
40
6
0.6
0.2
V
V
V
A
W
0.4
+
0.1
−0.05
所有的终端都有相同的尺寸
+
0.1
0.15
−0.06
PN2222A
4.8
±
0.2
3.7
±
0.2
P
C
2.5Min.
0.5
±
0.1
(1)
(2) (3)
5
+0.3
2.5
0.1
0.3
0.6
参数
符号
范围
单位
ROHM : SMT3
EIAJ : SC- 59
(1 )发光体
(2)相应的
( 3 )集电极
ROHM : TO- 92
EIAJ : SC- 43
+0.15
0.45
0.05
2.3
(1 )发光体
(2)相应的
( 3 )集电极
!电
特征
( TA = 25°C )
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
分钟。
75
40
6
0.6
35
直流电流传输比
h
FE
50
75
50
100
跃迁频率
输出电容
发射极输入电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
COB
兴业银行
td
tr
TSTG
tf
40
300
典型值。
马克斯。
100
100
0.3
1
1.2
2
300
8
25
10
25
225
60
兆赫
pF
pF
ns
ns
ns
ns
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
I
C
=10µA
I
C
=10mA
I
E
=10µA
V
CB
=
60V
V
EB
=
3V
I
C
/I
B
=150mA/15mA
I
C
/I
B
=500mA/50mA
I
C
/I
B
=150mA/15mA
I
C
/I
B
=500mA/50mA
V
CE
=10V
, I
C
=0.1mA
V
CE
=10V
, I
C
=1mA
V
CE
=10V
, I
C
=10mA
V
CE
=1V
, I
C
=150mA
V
CE
=10V
, I
C
=150mA
V
CE
=10V
, I
C
=500mA
V
CE
=20V
, I
C
=−20mA,
f
=100MHz
V
CB
=10V
, f
=100kHz
V
EB
=0.5V
, f
=100kHz
V
CC
=30V
, V
BE (OFF)的
=0.5V
, I
C
=150mA
, I
B1
=15mA
V
CC
=30V
, V
BE (OFF)的
=0.5V
, I
C
=150mA
, I
B1
=15mA
V
CC
=30V
, I
C
=150mA
, I
B1
=−I
B2
=15mA
V
CC
=30V
, I
C
=150mA
, I
B1
=−I
B2
=15mA
条件