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SST3904 参数 Datasheet PDF下载

SST3904图片预览
型号: SST3904
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内容描述: NPN通用晶体管 [NPN General Purpose Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 93 K
品牌: ROHM [ ROHM ]
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UMT3904 / SST3904 / MMST3904 / 2N3904
晶体管
NPN通用晶体管
UMT3904 / SST3904 / MMST3904 / 2N3904
!
特点
1 ) BV
首席执行官
> 40V (我
C
= 1毫安)
2 )补充了UMT3906 / SST3906 / MMST3906
/ 2N3906.
!
外形尺寸
(单位:毫米)
UMT3904
2.0±0.2
1.3±0.1
0.65 0.65
(1)
(2)
0.9±0.1
0.2
0.7±0.1
1.25
±
0.1
2.1
±
0.1
0~0.1
0.3 +0.1
−0
0.15±0.05
所有的终端都有相同的尺寸
!
包装,标志和包装规格
产品型号
包装类型
记号
CODE
基本订购单位
(件)
UMT3904
UMT3
R1A
T106
3000
SST3904 MMST3904
SST3
R1A
T116
3000
SMT3
R1A
T146
3000
2N3904
TO-92
-
T93
3000
SST3904
(1)
2.9±0.2
1.9±0.2
0.95 0.95
(2)
0.95 +0.2
−0.1
0.45±0.1
0.2
1.3
+
0.1
2.4
±
0.2
0~0.1
0.2Min.
0.1
~
0.4
ROHM : UMT3
EIAJ : SC- 70
(3)
(1 )发光体
(2)相应的
( 3 )集电极
(3)
ROHM : SST3
0.4 +0.1
−0.05
+0.1
0.15
−0.06
所有的终端都有相同的尺寸
(1 )发光体
(2)相应的
( 3 )集电极
2.9±0.2
MMST3904
(1)
1.9±0.2
0.95 0.95
(2)
1.1 +0.2
−0.1
0.8±0.1
0.2
1.6
+
0.1
0.4 +0.1
−0.05
+0.1
0.15
−0.06
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
UMT3904,
SST3904,
集热器
MMST3904
动力
散热SST3904 , MMST3904
2N3904
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
范围
60
40
6
0.2
0.2
单位
V
V
V
A
W
W
W
°C
°C
4.8
±
0.2
所有的终端都有相同的尺寸
2N3904
4.8±0.2
3.7±0.2
P
C
0.35
0.625
150
−55~+150
(12.7Min.)
*
2.5Min.
0.15
0.5
+
0.05
0.3
~
0.6
!
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
2.8
±
0.2
0~0.1
ROHM : SMT3
EIAJ : SC- 59
(3)
(1 )发光体
(2)相应的
( 3 )集电极
ROHM : TO- 92
EIAJ : SC- 43
(1)
(2)
5
(3)
0.3
2.5
+
0.1
0.45±0.1
2.3
Tj
TSTG
(1 )发光体
(2)相应的
( 3 )集电极
*
当安装在一个7 ×5× 0.6毫米陶瓷板。
!
电气特性
( TA = 25°C )
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CES
I
EBO
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
分钟。
60
40
6
-
-
-
-
0.65
-
40
70
100
60
30
300
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
50
50
0.2
0.3
0.85
0.95
-
-
300
-
-
-
4
8
35
35
200
50
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
I
C
= 10µA
I
C
= 1毫安
I
E
= 10µA
V
CB
= 30V
V
EB
= 3V
I
C
/I
B
= 10毫安/ 1毫安
I
C
/I
B
= 50毫安/ 5毫安
I
C
/I
B
= 10毫安/ 1毫安
I
C
/I
B
= 50毫安/ 5毫安
V
CE
= 1V ,我
C
= 0.1毫安
V
CE
= 1V ,我
C
= 1毫安
-
V
CE
= 1V ,我
C
= 10毫安
V
CE
= 1V ,我
C
= 50毫安
V
CE
= 1V ,我
C
= 100毫安
V
CE
= 20V ,我
E
=
−10mA,
F = 100MHz的
V
CB
= 10V , F = 100kHz的
V
EB
= 0.5V , F = 100kHz的
V
CC
= 3V , V
BE (OFF)的
= 0.5V ,我
C
= 10毫安,我
B1
= 1毫安
V
CC
= 3V , V
BE (OFF)的
= 0.5V ,我
C
= 10毫安,我
B1
= 1毫安
V
CC
= 3V ,我
C
= 10毫安,我
B1
=
−I
B2
= 1毫安
V
CC
= 3V ,我
C
= 10毫安,我
B1
=
−I
B2
= 1毫安
条件
直流电流传输比
h
FE
~
跃迁频率
集电极输出电容
发射极输入电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
COB
兴业银行
td
tr
TSTG
tf
兆赫
pF
pF
ns
ns
ns
ns