APG2C1-375-E 参数 Datasheet PDF下载

型号：	APG2C1-375-E
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内容描述：	结构：氮化铟镓峰值波长： 375 nm光输出功率：典型值。 200毫瓦寿命： \u003e 10.000小时 [Structure: InGaN Peak Wavelength: 375 nm Optical Output Power: typ. 200 mW Life Time: > 10.000 hours]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 318 K
品牌：	ROITHNER [ Roithner LaserTechnik GmbH ]

APG2C1-375-E

高功率单芯片LED

APG2C1-375 -E是一个基于氮化铟镓，高功率375 nm的单芯片中的标准发射器封装于一般LED

应用程序。

特定网络阳离子

•

结构：氮化铟镓

峰值波长： 375纳米

光输出功率：典型值。 200毫瓦

寿命： > 10.000小时

无铅产品 - 符合RoHS标准

•

绝对最大额定值（T

=25°C)

参数

功耗，直流

正向电流，直流

脉冲电流（占空比1％， 1kHz时）

反向电压

工作温度

储存温度

焊接温度（最大1,5-多个）

符号

OPR

英镑

SOL

价值

1000

500

1000

-5

-30 … +70

-30 … +85

330

单位

°C

光电特性（T

=25°C)

参数

正向电流

视角

CW输出功率

峰值波长

正向电压

半宽（ FWHM ）

符号

Δλ

条件

= 350毫安

分钟。

典型值。

350

200

375

3.7

马克斯。

单位

度。

波长测量公差为+/- 2 ％

输出功率的测量公差为+/- 10 ％

电压测量公差为+/- 2 ％

设备材料

项

基金会

镜头

电极

散热器

材料

塑料

有机硅树脂

AgCu

13.08.2012

APG2C1-375-E

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