RLT855-10MG
特点
•
•
•
•
•
激光二极管技术参数
绝对最大额定值（ TC = 25
o
C )
描述
光功率（mW ）
工作温度（
o
C)
存储温度（
o
C)
LD反向电压（ V）
PD反向电压（ V）
符号
P
o
T
op
T
英镑
V
LDR
V
PDR
额定值
5
-10至+50
-40至+85
2
30
指数指导MQW结构
波长： 855纳米（典型值）。
光功率： 10毫瓦CW
阈值电流：30 mA（典型值）
封装形式： TO- 18 （ 5.6 MMO）
光电特性（ TC = 25
o
C )
描述
激射波长（nm ）
阈值电流（mA ）
工作电流（mA ）
工作电压（V）的
监控电流（mA ）
符号
λ
p
I
th
I
op
V
op
I
m
η
θ
⎪⎢
θ⊥
A
s
分钟。
850
20
25
1.8
0.1
0.5
8
25
*
典型
855
30
45
2.0
0.45
0.7
10
30
11
马克斯。
895
50
55
2.5
0.75
0.9
12
40
*
测试条件
P
o
=10mW
P
o
=10mW
P
o
=10mW
P
o
=10mW
P
o
=10mW
***
P
o
=10mW
P
o
=10mW
P
o
=10mW
斜率效率（MW / MA ）
光束发散角
⎪⎢
(°)
光束发散角
⊥
(°)
散光（ μm）的
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ROITHNER [ Roithner LaserTechnik GmbH ]
