SSO-AD-1900-TO5i
SSO-AD-2500-TO5i
雪崩光电二极管
特色:
高增益在低偏压
快的上升时间
1900或2500微米直径的有效面积
低电容
参数:
活动区域
暗电流
(M=100)
1)
总电容
(M=100)
击穿电压U
BR
(在我
D
=2µA)
温度COEF网络cient
U型
BR
光谱响应
(在780nm处)
截止频率
(-3dB)
上升时间
增益M
"Excess Noise"因素
(M=100)
"Excess Noise"指数
(M=100)
噪声电流
(M=100)
N.E.P.
(M = 100, 880 nm)的
工作温度
储存温度
1)
SSO-AD-1900
TO5i
1950 mm
∅
3,0 µm
2
SSO-AD-2500
TO5i
2520 mm
∅
5,0 µm
2
包装3A( TO5i ) :
(典型值) 。 10,0 nA的
(典型值) 。 20 pF的
160 V
(典型值) 。 0,4 %/℃
(典型值) 。 20,0 nA的
(典型值) 。 40 pF的
160 V
(典型值) 。 0,4 %/℃
(典型值) 。 0,45 / W
(典型值) 。 0.18 GHz的
(典型值) 。 1,3 NS
100
(典型值) 。 0,45 / W
(典型值) 。 0,27 GHz的
(典型值) 。 2纳秒
100
典型值。
典型值。
(典型值) 。 PA / Hz的
典型值。
-13
�½
3 * 10的W / Hz的
-20 ... +70°C
-60 ... +100°C
�½
典型值。
-13
�½
1,5 * 10 W / Hz的
-20 ... +70°C
-60 ... +100°C
1)
测定条件:
光电流为10nA ,在M = 1和照射由一个近红外发光二极管的设置
( 880纳米, 80纳米的带宽) 。
光电流可达的内部multiplicati-上升至1 μA , (M = 100 )
上由于增加的偏置电压。