SSO-AD-230-TO52-S1
雪崩光电二极管
特色：
高增益在低偏压
快的上升时间
230微米直径的有效面积
低电容
参数：
活动区域
暗电流
(M=100)
1)
总电容
(M=100)
击穿电压U
BR
（在我
D
=2µA)
U型温度系数
BR
光谱响应
（在780nm处）
截止频率
(-3dB)
上升时间
最佳增益
增益M
"Excess Noise"因素
(M=100)
"Excess Noise"指数
(M=100)
噪声电流
(M=100)
N.E.P.
（M = 100， 880 nm）的
工作温度
储存温度
50 - 60
200分钟
1)
封装（ TO52 S1 ） ：
0,042 mm
∅
230 µm
最大。 1,5 nA的
（典型值） 。 0.6 nA的
（典型值） 。 1.5 pF的
(90 ... 240)
（典型值） 。 120 - 190 V
（典型值） 。 0,4 ％/℃
分钟。 0,40 / W
（典型值） 。 0,45 / W
（典型值） 。 2 GHz的
（典型值） 。 180 PS
2
（典型值） 。 2,2
（典型值） 。 0,2
（典型值） 。 0,5 PA / Hz的
-14
�½
（典型值） 。 1 * 10W / Hz的
-20 ... +70°C
-60 ... +100°C
�½
1)
测定条件：
光电流为10nA ，在M = 1和照射由一个设置
近红外LED （ 880纳米， 80纳米的带宽） 。
光电流可达上升至1 μA ， （M = 100）的内部
乘法由于增加的偏置电压。
ROITHNER [ Roithner LaserTechnik GmbH ]
